Влияние спектра на вах фотопреобразователей. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Влияние спектра излучения на характеристические . форум

Влияние спектра излучения на характеристические . форум

1. Влияние величины светового потока на ВАХ и другие характеристики СБ. Были проведены серии экспериментов по исследованию вольтамперных характеристик ВАХ и других характеристик СБ при облучении поверхности СБ различными источниками света – имитаторами солнечного света. В таблице 1 представлены характеристики СБ измеренные при разных значениях потока излучения созданного лампой накаливания. . 2. Влияние спектра источника излучения на ВАХ и другие характеристики СБ В силу зонного строения полупроводника а также свойств материала по. отношению к составляющим оптического спектра для оптимальной работы каждого СОЭ необходимо излучение определенного спектрального состава. ....Параметры и характеристики фотоэлементов. В качестве параметров фотоэлементов как и для полупроводниковых фотоприемников используются чувствительность квантовый выход квантовая эффективность шумы минимально регистрируемая мощность излучения пороговый поток обнаружительная способность темновой ток постоянная времени сопротивление. Эксплуатационные и конструктивные параметры максимально допустимая рассеиваемая мощность нестабильность чувствительности и темпового тока во времени температурный коэффициент чувствительности и др. . Вольтамперная характеристика ВАХ ф = f Ua . ВАХ фотоэлементов называют зависимость фототока ф от напряжения анода UB при неизменном световом потоке Ф = const.
29 April, 2019 150 читать далее
Лекция 11

Лекция 11

Рисунок 5.7 Вольтамперная характеристика солнечного элемента. Влияние на КПД температуры и уровня освещённости. Рисунок 5.8 Температурная зависимость. спектральной. чувствительности. кремниевого солнечного элемента. Рисунок 5.9 Зависимости плотности тока короткого. замыкания 1 и напряжения холостого хода 2 СЭ от интенсивности облучения. Рисунок Зависимость КПД СЭ от интенсивности облучения. Влияние на КПД последовательного и параллельного сопротивлений. Рисунок – Влияние последовательного и параллельного сопротивлений на вольтамперную характеристику солнечного элемента.. ....9. Реальная вольтамперная характеристика солнечного элемента. Определение параметров реального рп перехода из его вольтамперной характеристики. 10. Влияние контактного сопротивления на к.п.д. солнечного элемента. Фактор заполнения. Определение к.п.д. солнечного элемента через фактор заполнения. Влияние генерационнорекомбинационной составляющей тока рп перехода на к.п.д. солнечного элемента. Температурные характеристики солнечных элементов. 11. Солнечный элемент с барьером вблизи тыловой поверхности.
13 September, 2017 281 читать далее
Влияние температуры и радиации на кпд солнечного элемента влияние температуры на вах сэ фотопреобразователи солнечной энергии

Влияние температуры и радиации на кпд солнечного элемента влияние температуры на вах сэ фотопреобразователи солнечной энергии

Изменение температуры влияет на такие параметры СЭ как напряжение холостого хода ток короткого замыкания коэффициент заполнения КПД. Увеличение температуры уменьшает ширину запрещенной зоны полупроводника изменяя большинство его характеристик. Это может представить как увеличение энергии электронов в валентной зоне поэтому теперь для перехода в свободное состояние необходимо меньше энергии. . Однако этот эффект незначительный. Величина Ухх при этом уменьшается быстрее за счет экспоненциальной зависимости тока насыщения от температуры. Кроме того более плавная форма ВАХ при повышенных температурах приводит к уменьшению фактора заполнения. Поэтому в целом повышение температуры приводит к уменьшению эффективности преобразования. ....ВАХ солнечного элемента. с различным значением сопротивления Rп с различным значением сопротивления Rш. Как правило Rш велико поэтому вторым слагаемым в уравнении можно пренебречь. Падение напряжения на последовательном сопротивлении оказывает значительно более существенное влияние на вольтамперную характеристику чем. падение напряжения на шунтирующем сопротивлении рис. и . Как видно из рис. при увеличении последовательного сопротивления от 0 до 5 Ом мощность уменьшается более чем на 70 %.
28 November, 2017 225 читать далее
Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических

Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических

Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb. © Л.С. Лунин А.С. Пащенко. Южный научный центр РАН 344006 РостовнаДону Россия email Из практики известно что особое влияние на характеристики фотоэлектрических преобразователей имеют последовательное сопротивление series resistance Rs температура T диодный параметр A [1 2 8 9]. Влияние последовательного сопротивления. Для наиболее полного соответствия результатов моделирования ВАХ и ВВХ с данными полученными из экспериментов было учтено влияние последовательного сопротивления на ВАХ исследуемых образцов. ....Максимум спектральной характеристики кремниевых фотоэлементов почти соответствует максимуму спектрального распределения энергии солнечного света. Именно поэтому кремниевые фотоэлементы широко используют для создания солнечных батарей рис. Рис. Схемы фотоэлектрических энергоустановок с концентраторами. солнечного излучения а – в виде зеркал; б – в виде линз Френеля 1 –холодильник; 2 – фотоэлемент; 3 – зеркалоконцентратор; 4 – линза Френеля. Коэффициент полезного действия фотоэлемента – это отношение максимальной мощности которую можно получить от фотоэлемента к полной мощност.
05 May, 2017 254 читать далее
46. вольтамперная характеристика фотоэлемента ток насыщения и запирающее напряжение от каких параметров они зависят .

46. вольтамперная характеристика фотоэлемента ток насыщения и запирающее напряжение от каких параметров они зависят .

Вольтамперная характеристика соответствующая двум различным освещенностям катода частота света в обоих случаях одинакова приведена на рисунке выше. По мере увеличения U фототок постепенно возрастает т.е. все большее число фотоэлектронов достигает анода. Пологий характер кривых показывает что электроны вылетают из катода с различными скоростями. Максимальное значение тока фототок насыщения определяется таким значением U при котором все электроны испускаемые катодом достигают анода Где n – число электронов испускаемых катодом за 1 с. Из вольтамперной характеристики следует что . ....Используя другую характеристику фотопреобразователя f коэффициент заполнения вольтамперной характеристики к.п.д. можно выразить в следующем виде η = Iмакс·Uмакс Ф = f · Iкз·Uхх Ф 3 . . холостого хода Uхх от температуры. кремниевого фотоэлемента. Математическое описание зависимости фотоактивных процессов в фотопреобразователе от температуры и освещённости часто является сложным и не всегда позволяет проанализировать происходящие физические процессы. Поэтому при изучении температурной зависимости к.п.д. фотопреобразования солнечной энергии обычно рассматривают температурные зависимости величин определяющих его см.формулу 3 ток короткого замыкания Iкз напряжение холостого хода Uхх и коэффициент заполнения f.
16 May, 2019 141 читать далее
Основные характеристики фотопреобразователя . солнечная и другая альтернативная энергия

Основные характеристики фотопреобразователя . солнечная и другая альтернативная энергия

ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА И ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА СОЛНЕЧНОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ Зависимость между током н протекающим через нагрузку и напряжением на зажимах фотопреобразователя U в установившемся режиме согласно уравнению 9 имеет вид На рис. 5 приведена кривая соответствующая этому уравнению сплошная. . Вольтамперная характеристика и эквивалентная схема солнечного фотопреобразователя. Зависимость между током н протекающим через нагрузку и напряжением на зажимах фотопреобразователя U в установившемся режиме согласно уравнению 9 имеет вид ....Вольтамперная характеристика СЭ представляет собой суперпозицию вольтамперной характеристики диода в темноте и светового тока СЭ. Под действием света вольтамперная характеристика смещается вниз в четвертую четверть в которой находится полезная мощность. Освещение СЭ добавляет световой ток к темновому току и уравнение диода принимает вид где IL — световой ток. Влияние света на вольтамперную характеристику pn перехода. Уравнение вольтамперной характеристики в первой четверти записывается как. Слагаемым 1 в этом уравнении обычно можно пренебречь. Экспоненциальная составляющая обычно &g.
09 May, 2018 286 читать далее
Спектральная характеристика фотоэлемента — студопедия.нет

Спектральная характеристика фотоэлемента — студопедия.нет

Спектральная характеристика фотоэлемента это зависимость тока короткого замыкания от длины волны падающего света. Для кремниевого фотоэлемента максимум спектральной характеристики почти соответствует максимуму спектрального распределения энергии солнечного света рис. 6 . Именно поэтому кремниевые фотоэлементы широко используются для создания солнечных батарей. Рис. 6. Спектр Солнца Т ≈ 5800 К спектр света лампы Т ≈ 2000 K и спектральная чувствительность кремниевой солнечной ячейки. Спектр лампы и Солнца отличаются тем что у Солнца больше коротковолнового излучения с большей энергией . ....Вольтамперная характеристика ВАХ фотоэлемента рис.1 выражает зависимость фототока I от разности потенциалов U между электродами. С увеличением U фототок растет до определенного предельного значения IН тока насыщения который согласно закону Столетова пропорционален световому потоку Ф падающему на катод 3 . Фототок полностью прекращается при создании задерживающего напряжения U3 обратной полярности по сравнению с ускоряющим. При U = U3 кинетическая энергия всех фотоэлектронов снижается до нуля под действием электрического поля т. к. равна работе совершаемой полем Получить полный т.
30 September, 2018 225 читать далее
Качественное объяснение фотоэффекта с волновой точки зрения на

Качественное объяснение фотоэффекта с волновой точки зрения на

Внешним фотоэлектрическим эффектом фотоэффектом фотоэлектронной эмиссией называется испускание электронов веществом под действием электромагнитного излучения в вакуум или другую среду. Внешний фотоэффект наблюдается в твердых телах металлах полупроводниках диэлектриках и в газах на отдельных атомах и молекулах фотоионизация . Практическое значение имеет фотоэлектрическая эмиссия из твердых тел в вакуум. Внутренний фотоэффект − это вызванные электромагнитным излучением переходы электронов внутри полупроводника диэлектрика молекул газа из заполненных электронами состояний в свободн. ....Вольтамперная характеристика фотоэлемента. Поток генерированных светом носителей образует фототок Iф. Величина Iфравна числу фотогенерированных носителей прошедших через p–nпереход в единицу времени . Найдем обобщенное выражение для вольтамперной характеристики освещенного p–nперехода. Для этого предположим что к нему подключен источник питания с варьируемым напряжением. При положительном напряжении смещения фототок Iфвычитается из темнового тока p–nперехода а при отрицательном – суммируется с ним. Выражение для вольтамперной характеристики записывается в виде 10 . Рассмотрим подключение к p–nпереходу варьируемого сопротивления нагрузки.
21 May, 2018 221 читать далее
Измерения параметров фотопреобразователей. t8

Измерения параметров фотопреобразователей. t8

Измерение параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Фотопреобразователи в зависимости от их конструкции принято делить на три основные группы 1. одиночные солнечные элементы solar cells ; 2. модули солнечных элементов subassemblies solar cells ; 3. плоские панели flat modules ; Измерение вольтамперных характеристик ВАХ фотопреобразователя обычно выполняется их экспозицией при неизменяющемся освещении и известной температуре. В качестве источника света может служить Солнце или имитатор солнечного освещения. Затем полученные результаты как правило приводятся к. ....Чувствительность газонаполненных фотоэлектрических преобразователей выше чем у вакуумных. Фотоэлектронный умножитель ФЭУ –это вакуумный фотоэлемент снабженный системой электродов для усиления тока фотоэмиссии. Принципиальная схема ФЭУ показана на рис. Рис. Фотоэлектронный умножитель. . Фотоэлектрические преобразователи используемые для измерения несветовых величин имеют ряд особенностей. Имеется возможность измерения без контакта с объектом измерения отсутствует механическое воздействие на объект измерения. Преобразователи чувствительны к силе света и его цвету. Их недостатком является большая погрешность которая в основном определяется усталостью старением и зависимостью параметров преобразователя от температуры.
19 September, 2017 179 читать далее
На студопедии вы можете прочитать про фотоэлектрические преобразователи. подробнее.

На студопедии вы можете прочитать про фотоэлектрические преобразователи. подробнее.

Световая характеристика фоторезистора показана на рис. 4. Вольтамперная характеристика фоторезистора это зависимость фототока от величины приложенного напряжения при постоянном значении светового потока. В общем случае вольтамперная характеристика нелинейна но за счет того что конструкция фоторезисторов обеспечивает хороший отвод тепла с тонкого фоточувтвительного слоя рабочее тело не разогревается а рабочая точка не выходит за пределы линейного участка. см.рис. 6.5 . Рис. 6.4 Световая характеристика фоторезистора. . Они не стабильны во времени и подвержены влиянию температуры потому не находят широкого применения в измерительной технике. Однако в качестве чувствительных элементов автоматических устройств они незаменимы. ....Основными характеристиками ФЭП являются их спектр фотоответа спектральная зависимость внешней квантовой эффективности и нагрузочные характеристики ВАХ . . На экспоненциальной ВАХ ФЭП существует точка максимальной мощности или оптимальной нагрузки. Отношение мощности выделяемой в этой точке к произведению Iк.з. на Uх.х называют фактором заполнения FF вольтамперной характеристики ФЭП. Эффективностью преобразования ФЭП является отношение произведения Iк.з.·Uх.х.·FF к падающей мощности.
17 November, 2018 199 читать далее
Ф 62 к . внешний фотоэффект . исследование характеристик

Ф 62 к . внешний фотоэффект . исследование характеристик

Вольтамперные характеристики фотоэлемента полученные для одинаковой частоты но различных интенсивностей света представлен на рис.1. Участок АВ графика соответствует току насыщения IН. фотоэлемента. Сила тока насыщения не зависит от напряжения между катодом и анодом потому что все электроны выбитые светом в область пространства между катодом и. . анодом недостаточно для того чтобы при данной геометрии фотоэлемента собрать на аноде все выбитые электроны. Сила тока становится меньше IНАС.. 1. ....Солнечное электричество как мы можем его использовать? Фотоэлектрический эффект вольтамперная характеристики и коэффициент заполнения солнечного элемента. . Пусть всегда будет солнце! Коэффициент заполнения вольтамперной характеристики. Коэффициент заполнения ВАХ солнечного элемента fill factor — FF — это отношение реальной мощности Vpmax x Ipmax к гипотетической мощности Voc x Isc. Этот коэффициент является одным из основых параметров по которому можно судить о качестве фотоэлектрического преобразователя. Типичные качественные серийно выпускаемые солнечные элементы имеют коэффициент заполнения ВАХ .
08 March, 2019 226 читать далее