Влияние спектра на вах фотопреобразователей. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Влияние спектра излучения на характеристические

Влияние спектра излучения на характеристические

2. Влияние спектра источника излучения на ВАХ и другие характеристики СБ В силу зонного строения полупроводника а также свойств материала по. отношению к составляющим оптического спектра для оптимальной работы каждого СОЭ необходимо излучение определенного спектрального состава. С помощью спектрофотометра SPECTROPHOTOMETR U21830 был снят спектр излучения лампы накаливания рис. 3 . Рисунок 3. Спектр излучения лампы накаливания. Рисунок 4. Спектр излучения галогеновой лампы. Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи. 7. В спектре лампы накаливания рис. 3 преоб. ....Фотоэлектрический эффект и ВАХ. Для генерации электричества от солнца вам нужен солнечный модуль который состоит из одного или многих солнечных фотоэлектрических элементов. Когда на солнечный элемент падает солнечных свет материал солнечного элемента поглощает часть солнечного света фотоны . Каждый фотон имеет малое количество энергии. Когда фотон поглощается он инициирует процесс освобождения электрона в солнечном элементе. Вследствие того что обе стороны фотоэлектрического элемента имеют токоотводы в цепи возникает ток когда фотон поглощается. Солнечный элемент генерирует электричество.
19 June, 2017 234 читать далее
Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи pdf

Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи pdf

2. Влияние спектра источника излучения на ВАХ и другие характеристики СБ В силу зонного строения полупроводника а также свойств материала по отношению к составляющим оптического спектра для оптимальной работы каждого СОЭ необходимо излучение определенного спектрального состава. С помощью спектрофотометра SPECTROPHOTOMETR U21830 был снят спектр излучения лампы накаливания рис. 3 . Рисунок 3. Спектр излучения лампы накаливания. Рисунок 4. Спектр излучения галогеновой лампы. 5 Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи 7 В спектре лампы накаливания рис. 3 преобл. ....Используя другую характеристику фотопреобразователя f коэффициент заполнения вольтамперной характеристики к.п.д. можно выразить в следующем виде η = Iмакс·Uмакс Ф = f · Iкз·Uхх Ф 3 . . холостого хода Uхх от температуры. кремниевого фотоэлемента. Математическое описание зависимости фотоактивных процессов в фотопреобразователе от температуры и освещённости часто является сложным и не всегда позволяет проанализировать происходящие физические процессы. Поэтому при изучении температурной зависимости к.п.д. фотопреобразования солнечной энергии обычно рассматривают температурные зависимости величин определяющих его см.формулу 3 ток короткого замыкания Iкз напряжение холостого хода Uхх и коэффициент заполнения f.
22 May, 2017 235 читать далее
8.3.фотоэлектрические эффекты в pnпереходе. влияние светового потока на вах pnперехода.

8.3.фотоэлектрические эффекты в pnпереходе. влияние светового потока на вах pnперехода.

Световые характеристики вентильных фотоэлементов зависят от нагрузки. Пи малой нагрузке Iф линейно зависит от освещенности. При увеличении нагрузки зависимость становится нелинейной. Внешним фотоэффектом фотоэлектронной эмиссией называется испускание электронов веществом под действием света. . Энергетическая характеристика pn перехода связывает фототок со световым потоком падающим на фотодиод рис. 8.9 б. При работе в вентильном режиме спектральные характеристики существенно зависят от сопротивления резистора включенного во внешнюю цепь. С ростом нагрузочного сопротивления характеристики все более искривляются и при больших сопротивлениях имеют ярко выраженный участок насыщения. ....Определение параметров вольтамперной. Характеристики фотопреобразователей. Цель работы Изучение принципа действия фотопреобразователя и определение его основных параметров. Приборы и оборудование используемые в работе Измеритель характеристик ППП Л256. . Вольтамперная характеристика ВАХ солнечного элемента отличается от ВАХ полупроводникового диода появлением члена Iф обозначающего собой ток генерируемый элементом под действием освещения часть которого Iд течет через рnпереход а другая часть I через внешнюю нагрузку Iф = Iд + I 1 . где.
07 September, 2017 293 читать далее
Лекция 11

Лекция 11

Рисунок 5.7 Вольтамперная характеристика солнечного элемента. Влияние на КПД температуры и уровня освещённости. Рисунок 5.8 Температурная зависимость. спектральной. чувствительности. кремниевого солнечного элемента. Рисунок 5.9 Зависимости плотности тока короткого. замыкания 1 и напряжения холостого хода 2 СЭ от интенсивности облучения. Рисунок Зависимость КПД СЭ от интенсивности облучения. Влияние на КПД последовательного и параллельного сопротивлений. Рисунок – Влияние последовательного и параллельного сопротивлений на вольтамперную характеристику солнечного элемента.. ....Вольтамперная характеристика СЭ представляет собой суперпозицию вольтамперной характеристики диода в темноте и светового тока СЭ. Под действием света вольтамперная характеристика смещается вниз в четвертую четверть в которой находится полезная мощность. Освещение СЭ добавляет световой ток к темновому току и уравнение диода принимает вид где IL — световой ток. Влияние света на вольтамперную характеристику pn перехода. Уравнение вольтамперной характеристики в первой четверти записывается как. Слагаемым 1 в этом уравнении обычно можно пренебречь. Экспоненциальная составляющая обычно &g.
21 December, 2018 243 читать далее
Влияние радиации на кпд солнечною элемента фотопреобразователи солнечной энергии

Влияние радиации на кпд солнечною элемента фотопреобразователи солнечной энергии

Чувствительный в голубой области спектра элемент с базой аналогичен рассмотренному выше элементу с ?базой за исключением того что области и ?типа здесь меняются местами. Видно что экспериментальные результаты для этих элементов хорошо описываются уравнением . Кривая проходящая через экспериментальные точки элемента с базой рассчитана при Ь0 = 119 мкм и К1 = 1 710'10. . От каких факторов зависит данная характеристика? 14. Чем ВАХ реальных СЭ отличаются от идеальных? 15. Что такое коэффициент идеальности СЭ какие значения он принимает? От каких параметров зависит еш величина? 16. Поясните влияние температуры на ВАХ СЭ. Как ведет себя СЭ при низких темпера турах при высоких темпера турах? 17. Как влияет радиация на эффективность работы СЭ? ....вольтамперной характеристики ВАХ рис. 4 где Is – ток насыщения а Iph – фототок. ВАХ поясняет эквивалентная схема фотоэлемента рис. 5 включающая источник тока Iph=SqN0Q где S – площадь фотоэлемента а коэффициент собирания Q – безразмерный множитель
28 January, 2017 143 читать далее
Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе.

Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе.

Световая характеристика фоторезистора показана на рис. 4. Вольтамперная характеристика фоторезистора это зависимость фототока от величины приложенного напряжения при постоянном значении светового потока. В общем случае вольтамперная характеристика нелинейна но за счет того что конструкция фоторезисторов обеспечивает хороший отвод тепла с тонкого фоточувтвительного слоя рабочее тело не разогревается а рабочая точка не выходит за пределы линейного участка. см.рис. 6.5 . Рис. 6.4 Световая характеристика фоторезистора. . Они не стабильны во времени и подвержены влиянию температуры потому не находят широкого применения в измерительной технике. Однако в качестве чувствительных элементов автоматических устройств они незаменимы. ....Вольтамперная характеристика солнечной ячейки. На графике обозначены важнейшие точки вольтамперной характеристики полупроводникового фотопреобразователя – Uxx и Iкз. Для определения рабочих параметров ячеек на этом же графике показана кривая характеризующая мощность исследуемого фотоэлектрического элемента. Этот график является функцией мощности ячейки в зависимости от нагрузки. Из графика следует что номинальная мощность того или иного элемента определена как максимально возможная мощность при стандартных исходных параметрах.
08 September, 2018 285 читать далее
Влияние нейтронного облучения

Влияние нейтронного облучения

Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур p−nInSe. © З.Д. Ковалюк О.А. Политанская П.Г. Литовченко В.Ф. Ластовецкий О.П. Литовченко В.К. Дубовой Л.А. Поливцев. Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины Черновицкое отделение Email chimsp@ Институт ядерных исследований НАН Украины Киев. В окончательной редакции 27 марта 2007 г. . Наблюдаемые изменения ВАХ заключаются в улучшении коэффициента выпрямления тока и росте фактора идеальности ВАХ с увеличением дозы облучения. Отмечено отсутствие особых изменений спектральных зависимостей фоточувствительности структур при разных дозах облучения что позволяет рекомендовать их для создания радиационностойких фотодетекторов. ....Спектральная характеристика фотоэлемента это зависимость тока короткого замыкания от длины волны падающего света. Для кремниевого фотоэлемента максимум спектральной характеристики почти соответствует максимуму спектрального распределения энергии солнечного света рис. 5 . Именно поэтому кремниевые фотоэлементы широко используются для создания солнечных батарей. . Спектр лампы и Солнца отличаются тем что у Солнца больше коротковолнового излучения с большей энергией а у лампы больше длинноволновая составляющая. Таким образом лампа сильнее нагревает фотоэлемент поэтому ее свет дает меньший ток короткого замыкания и соответственно меньший КПД.
05 May, 2019 170 читать далее
Влияние толщины и степени легирования на эффективность солнечного элемента на основе гетероструктуры algaas inp .

Влияние толщины и степени легирования на эффективность солнечного элемента на основе гетероструктуры algaas inp .

Спектральная характеристика фотоэлемента это зависимость тока короткого замыкания от длины волны падающего света. Для кремниевого фотоэлемента максимум спектральной характеристики почти соответствует максимуму спектрального распределения энергии солнечного света рис. 6 . Именно поэтому кремниевые фотоэлементы широко используются для создания солнечных батарей. Рис. 6. Спектр Солнца Т ≈ 5800 К спектр света лампы Т ≈ 2000 K и спектральная чувствительность кремниевой солнечной ячейки. Спектр лампы и Солнца отличаются тем что у Солнца больше коротковолнового излучения с большей энергией . ....Вольтамперная характеристика фотоэлемента. Поток генерированных светом носителей образует фототок Iф. Величина Iфравна числу фотогенерированных носителей прошедших через p–nпереход в единицу времени . Найдем обобщенное выражение для вольтамперной характеристики освещенного p–nперехода. Для этого предположим что к нему подключен источник питания с варьируемым напряжением. При положительном напряжении смещения фототок Iфвычитается из темнового тока p–nперехода а при отрицательном – суммируется с ним. Выражение для вольтамперной характеристики записывается в виде 10 . Рассмотрим подключение к p–nпереходу варьируемого сопротивления нагрузки.
21 October, 2018 233 читать далее
Фотоэлектрических эффект вольтамперная характеристики и коэффициент заполнения солнечного элемента

Фотоэлектрических эффект вольтамперная характеристики и коэффициент заполнения солнечного элемента

Принцип действия фотоэлектрических преобразователей фотоэлементов основан на явлении фотоэлектрического эффекта открытого русским ученым А. Г. Столетовым в 1888 году. Фотоэлектрический эффект осуществляется тремя различными способами в связи с чем различают три разновидности проявления фотоэффекта внешний внутренний и вентильный. Наибольшее применение нашли преобразователи двух последних типов. К преобразователям с внешним фотоэффектом относятся вакуумные и газонаполненные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. Вакуумные фотоэлементы состоят из вакуумированной стеклянной колбы содер. ....Рис.3. Вольтамперная характеристика солнечного элемента. Уравнение ВАХ справедливо и при освещении фотоэлемента светом произвольного спектрального состава изменяется лишь значение фототока Iph. Максимальная мощность отбирается в том случае когда фотоэлемент находится в режиме отмеченном точкой а см. рис. 3 . Рис.4. Эквивалентная схема солнечного элемента. Максимальная мощность снимаемая с 1 см2 равна. . структура тонкой пленки должна быть однородной по всей активной области солнечного элемента чтобы исключить закорачивание и влияние шунтирующих сопротивлений на характеристики элемента. Производство структур на основе монокристаллического кремния удовлетворяющих данным требованиям – процесс технологически сложный и дорогостоящий.
15 September, 2018 115 читать далее
Влияние на к.п.д. фотопреобразователя температуры и уровня освещённости

Влияние на к.п.д. фотопреобразователя температуры и уровня освещённости

Осуществили моделирования данного фотоэлектрического преобразователя посредством программы PC1D [4;9]. В процессе моделирования была изменена толщина слоя AlGaAs c 0.1 до мкм 9 мкм степень легирования слоя InP с 10 17 до 10 19 и степень легирования слоя AlGaAs с 10 17 до 10 19 . Влияние изменения толщины слоя AlGaAs на ВАХ показано на рисунке 2 [5;7;10]. Толщина слоя InP была фиксированная и составляла 1 3 мкм. Рисунок 1. Структура солнечного элемента на основе гетероструктуры AlGaAs – InP. Данное поведение ВАХ связанно с тем что в слое AlGaAs начинается фотогенерация носителей зарядов и . ....В реальных солнечных преобразователях максимальный КПД заметно ниже идеализированного изза влияния сопротивления высокоомной базовой области различных видов рекомбинации потерь на сопротивлении контактов и ряда других факторов которые будут рассмотрены ниже. . В фотоэлементе представленном на рис. при поглощении фотонов с низкими энергиями основная доля носителей генерируется в базовой области поскольку коэффициент поглощения в 81 мал. Если энергия фотонов больше 2 эВ то основная их доля поглощается в лицевом слое. Скорость поверхностной рекомбинации на лицевой поверхности достаточно велика и это приводит к значительному уменьшению фотоотклика.
07 July, 2018 300 читать далее
Лабораторная работа № 5 определение параметров вольтамперной характеристики фотопреобразователей

Лабораторная работа № 5 определение параметров вольтамперной характеристики фотопреобразователей

Вольтамперная характеристика ВАХ фотоэлемента на основе рпперехода описывается уравнением вида . На рисунке представлено семейство обратных ветвей ВАХ рпперехода для различных значений светового потока. Из рисунка следует что pппереход смещенный в обратном направлении является эффективным фотодиодом. При поглощении квантов света в рппереходе или в прилегающих к нему областях полупроводников образуются неравновесные электроннодырочные пары которые диффундируют к рппереходу и разделяются его полем рис. В результате под действием потока светового излучения . ....Только в результате анализа всей вольтамперной характеристики солнечного элемента и влияния на нее спектра ^гадающего излучения может €ыть получена зависимость возможного КПД от ширины запрещенной зоны полупроводника. Такой расчет был выполнен впервые [82] с использованием спектров наземного солнечного излучения из работы [83]. Оптические и фотоэлектрические потери оценивались значениями весьма близкими к оптимизированным для солнечных элементов из разных полупроводниковых материалов. Последующий расчет максимального КПД привел к нескольким показательным зависимостям некоторые из которых пр.
08 April, 2018 156 читать далее