Влияние спектра на вах фотопреобразователей. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Вольтамперная характеристика идеального солнечного элемента фотопреобразователи солнечной энергии

Вольтамперная характеристика идеального солнечного элемента фотопреобразователи солнечной энергии

В целом ВАХ солнечного элемента показывает зависимость выходного тока солнечного элемента от напряжения на его выводах. При изменении величины светового потока падающего на солнечный элемент его ВАХ изменяется. Поэтому для получения достоверных значений стремятся добиться стандартных условий измерения при которых каждый из тестируемых образцов находился бы в одинаковом состоянии [3. . Фотопреобразователи солнечной энергии . Влияние температуры и радиации на КПД солнечного элемента. Влияние температуры на ВАХ СЭ Как и все остальные полупроводниковые приборы СЭ чувствительны к изменению температуры. Изменение температуры влияет на такие параметры СЭ как напряжение холостого хода ток короткого замыкания коэффициент заполнения КПД. .... Метод измерения световой вольтамперной характеристики. После проведения визуального осмотра проводятся измерения ВАХ БС путем засветки панелей БС. Метод основывается на измерении значения величин тока и напряжения на подключенной нагрузке к БС при изменении сопротивления нагрузки за время светового импульса. Метод дает интегральную оценку текущего технического состояния солнечных батарей [4. . Спектр люминесценции лежит в диапазоне более 600 нм. Данный спектр представляет часть видимого спектра красный свет и ближний ИК спектр. Засвечивающее устройство имеет малую мощность поэтому для регистрации люминесценции использовалась аппаратура позволяющая регистрировать в ближнем ИК диапазоне
21 September, 2019 292 читать далее
Фотопреобразователи

Фотопреобразователи

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. 3.6 Режимы работы фотоэлектрического преобразователя при освещении. При использовании ФЭП в качестве источника электроэнергии к его выводам должно быть подсоединено сопротивление нагрузки Rн. В этом случае речь будет идти о его нагрузочной вольтамперная характеристике. Рассмотрим два случая 1. Rн = 0 режим короткого замыкания; 2. Rн = ∞ режим холостого хода. Зонные диаграммы рn перехода в этих режимах изображены на рис. 18 а б. В первом случае зонная диаграмма освещенного рn перехода не отличается от зонной диаграммы при термод. .... Вольтамперная характеристика.Важным показателем качества фотопреобразователя является нагрузочная вольтамперная характеристика приведенная на рис.4. Обычно её получают путём изменения величины сопротивления нагрузки включенной . А напряжение будет постоянно уменьшаться. Как только сопротивление нагрузки R станет равным нулю выходное напряжение упадёт до нуля. Наступит состояние короткого замыкания фотопреобразователя которое однако не приводит к его выходу из строя. Характер вольтамперной зависимости не зависит от уровня освещённости. На рис.6 показано семейство нагрузочных характеристик кремниевого фотопреобразователя при различной энергетической освещённости. Все графики имеют одинаковую форму.
23 March, 2018 291 читать далее
Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических

Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических

Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs. 75. Рис. 6. Влияние диодного параметра A на ВАХ и ВВХ ФЭП на основе GaAs a и GaSb b . При значении параметра A близком к 2 в p−nпереходе преобладает рекомбинационный механизм переноса носителей заряда при A = 1 преобладает диффузионный механизм. . Другим фактором влияющим на форму ВАХ и лимитирующим величину КПД является температура так как при ее увеличении значительно снижается величина напряжения холостого хода Uoc . Особенно это влияние необходимо учитывать при изготовлении ФЭП для преобразования концентрированного солнечного излучения. .... На основании измерения фотопроводимости слоев из смешанных металлокомплексных Jагрегатов установлено что фотоотклик наноразмерных фотопреобразователей для ИКобласти спектра значительно возрастает по сравнению с показателями для Jагрегата индивидуального красителя. Сделан вывод что формирование новых высокоорганизованных структур методом самосборки Jагрегатов из нескольких красителей может рассматриваться как перспективная нанотехнология получения органических полупроводников с улучшенными фотосвойствами. Об авторах. Б. И. Шапиро. Московский технологический университет Институт тонких .
15 August, 2019 288 читать далее
На студопедии вы можете прочитать про фотоэлектрические преобразователи. подробнее.

На студопедии вы можете прочитать про фотоэлектрические преобразователи. подробнее.

Вольтамперная характеристика фоторезистора это зависимость фототока от величины приложенного напряжения при постоянном значении светового потока. В общем случае вольтамперная характеристика нелинейна но за счет того что конструкция фоторезисторов обеспечивает хороший отвод тепла с тонкого фоточувтвительного слоя рабочее тело не разогревается а рабочая точка не выходит за пределы линейного участка. см.рис. 6.5 . Рис. 6.4 Световая характеристика фоторезистора. Рис.6.5 Вольтамперная характеристика фоторезистора. Чувствительность фоторезисторов выше чем у фотоэлементов с внешним фотоэффек. .... В режиме фотопреобразователя применяется внешнее обратное смещение которое заложено в основе детекторов серии DET. Ток в контуре определяет освещенность устройства; выходной ток линейно пропорционален входной оптической мощности. Применение обратного смещения увеличивает ширину обедненного перехода создавая повышенную чувствительность и уменьшая емкость перехода. Таким образом возникают линейные зависимости некоторых величин. Работа в этих условиях как правило приводит к увеличению темнового тока; но на это влияет и сам материал фотодиода. Примечание детекторы DET работают в режиме обрат.
19 January, 2017 294 читать далее
Лекция 11

Лекция 11

Уравнение 23 описывает вольтамперную характеристику ВАХ идеального СЭ. рисунок. 5.4 где. плотность фототока плотность тока диода плотность. теплового тока перехода. Рисунок 5.4 Вольтамперная характеристика идеального солнечного элемента первый квадрант 1 – в темноте; 2 – при освещении ток короткого замыкания напряжение холостого хода. . Рисунок – Влияние последовательного и параллельного сопротивлений на вольтамперную характеристику солнечного элемента. Материалы для формирования фотопреобразователей. Рисунок 2−Примеры кремния в природе. 13. Тип МоноМультиПолиАморфный. Обозначение scSi mcSi pcSi µcSi. Размер зерна 100 мм 1—100 мм. 1 мкм—1 мм. .... Вольтамперная характеристика барьера Шоттки имеет ярко выраженный несимметричный вид. В области прямых смещений ток экспоненциально сильно растѐт с ростом приложенного напряжения. . В работе [1 описаны основные технические характеристики и параметры фотодиодов металлZnSe и исследовано влияние на них различных факторов напряжения смещения температуры уровня легирования подложки и т. п. Исходными подложками служили монокристаллические пластины низкоомного nZnSe толщиной мм.
05 December, 2018 228 читать далее
46. вольтамперная характеристика фотоэлемента ток насыщения и запирающее напряжение от каких параметров они зависят .

46. вольтамперная характеристика фотоэлемента ток насыщения и запирающее напряжение от каких параметров они зависят .

Вольтамперная характеристика соответствующая двум различным освещенностям катода частота света в обоих случаях одинакова приведена на рисунке выше. По мере увеличения U фототок постепенно возрастает т.е. все большее число фотоэлектронов достигает анода. Пологий характер кривых показывает что электроны вылетают из катода с различными скоростями. Максимальное значение тока фототок насыщения определяется таким значением U при котором все электроны испускаемые катодом достигают анода Где n – число электронов испускаемых катодом за 1 с. Из вольтамперной характеристики следует что . .... Спектральная характеристика. Длинноволновая граница фоточувствительности определяется значением ширины запрещенной зоны Eg а спад в коротковолновой области спектра объясняется тем что коэффициент поглощения растет и большая часть излучения поглощается в приповерхностном слое базы где фэф мало и меньшая часть генерированных светом носителей доходит до p nперехода. . Зависимость спектральных характеристик от температуры определяется главным образом температурной зависимостью коэффициента собирания. Влияние оказывают температурные изменения коэффициента поглощения света ширины запрещенной зоны полупроводника диффузионной длины неосновных носителей и др.
08 January, 2019 137 читать далее
Исследование возможности создания кремниевых фотопреобразователей с рnпереходом . вопросы прямого преобразования энергии

Исследование возможности создания кремниевых фотопреобразователей с рnпереходом . вопросы прямого преобразования энергии

Рис. 4. Нагрузочные характеристики фотопреобразователей полученных при энергии ионов 30 кэв Наибольшая достигнутая средняя концентрация доноров в легированном слое ncр=1 1·1019 см2. Максимальная же концентрация доноров у поверхности на глубине соответствующей пробегу иона —0.1 мс на порядок выше средней концентрации. . Улучшение характеристик в коротковолновой области спектра объясняется мелким залеганием р—nперехода а в длинноволновой тем что время жизни неосновных носителей тока в базе готовых элементов значительно выше 10—20 мксек чем в случае термодиффузии 1—2 мксек т. е. собирание носителей в базе происходит со значительно большей глубины. Рис. 6. Вольтамперные характеристики фотопреобразователей при прямом смещении 1. .... Перед испытаниями измеряли исходные вольтамперные характеристики ВАХ фотопреобразователей и прототипа на имитаторе Солнца. Для проведения радиационных испытаний была отобрана партия полупроводниковых фотопреобразователей имевших близкие в пределах 5% исходные характеристики фотопреобразования удельное объемное сопротивление которых составляло 2 Омсм3. . После завершения облучения проводилось повторное измерение ВАХ фотопреобразователей. Результаты измерений представлены на фиг. 2 и 3. На фиг. 2 представлены ВАХ фотопреобразователей. По оси абсцисс отложены значения напряжения на нагрузке а по оси ординат значения тока.
22 February, 2020 296 читать далее
Влияние спектра излучения на характеристические . форум

Влияние спектра излучения на характеристические . форум

2. Влияние спектра источника излучения на ВАХ и другие характеристики СБ В силу зонного строения полупроводника а также свойств материала по. отношению к составляющим оптического спектра для оптимальной работы каждого СОЭ необходимо излучение определенного спектрального состава. С помощью спектрофотометра SPECTROPHOTOMETR U21830 был снят спектр излучения лампы накаливания рис. 3 . Рисунок 3. Спектр излучения лампы накаливания. Рисунок 4. Спектр излучения галогеновой лампы. Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи. 7. В спектре лампы накаливания рис. 3 преоб. .... вольтамперная характеристика ВАХ . зависимость выходного напряжения от входного тока. U Φ = f I Φ {\displaystyle U_{\Phi }=f I_{\Phi } }. спектральные характеристики. зависимость фототока от длины волны падающего света на фотодиод. Она определяется со стороны больших длин волн шириной запрещённой зоны при малых длинах волн большим показателем поглощения и увеличения влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. То есть коротковолновая граница чувствительности зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации.
04 April, 2017 135 читать далее
Измерения параметров фотопреобразователей. t8

Измерения параметров фотопреобразователей. t8

Измерение параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Фотопреобразователи в зависимости от их конструкции принято делить на три основные группы 1. одиночные солнечные элементы solar cells ; 2. модули солнечных элементов subassemblies solar cells ; 3. плоские панели flat modules ; Измерение вольтамперных характеристик ВАХ фотопреобразователя обычно выполняется их экспозицией при неизменяющемся освещении и известной температуре. В качестве источника света может служить Солнце или имитатор солнечного освещения. Затем полученные результаты как правило приводятся к. .... Статья будет большая и по смыслу делиться на три части 1 – Спектральные характеристики источников света 2 – Как можно померить спектр с помощью прямых рук и синей изоленты 3 – Кратко о воздействии света на человека. *Примечания представленные в статье спектры ввиду технических ограничений могут отличаться от реальных источников света если есть желание проверьте сами. . 3. Современный человек обычно проводит добрых 90% своего времени в помещениях транспорт тоже будем считать искусственной средой 4. В помещениях человек часто пользуется искусственным освещением или совмещенным даже летним днем не все имеют возможность использовать только естественное освещение 5. Свет влияет на биологические процессы в организме человека.
28 October, 2017 287 читать далее
Оценка целостности фотопреобразователей солнечных батарей применяемых на перспективных космических аппаратах

Оценка целостности фотопреобразователей солнечных батарей применяемых на перспективных космических аппаратах

2. Метод измерения световой вольтамперной характеристики. После проведения визуального осмотра проводятся измерения ВАХ БС путем засветки панелей БС. Метод основывается на измерении значения величин тока и напряжения на подключенной нагрузке к БС при изменении сопротивления нагрузки за время светового импульса. . Источник питания подключают к элементарному генератору ЭГ БС в обход развязывающего устройства РУ . Время прохождения тока ограничивают несколькими секундами для недопущения перегрева ФПЗП . При отсутствии фототока ФПЗП работает на прямой ветви ВАХ в первом квадранте. Протекающий прямой ток вызывает люминесценцию фотопреобразователя. По визуальной картине свечения определяют наличие дефектов в ФПЗП. .... На рис. 3 приведены вольтамперные характеристики ВАХ полученных образцов. 522. фоточувствительных структур с пористым слоем при различных уровнях освещённости 800Lx естественная 2100Lx 15000Lx максимальная измеренные спустя полгода хранения на воздухе в условиях естественного освещения. . кремнием для фотопреобразователей на крем. 20070725solar. ниевой подложке Н.В. Латухина Н.А. Нечаева
19 September, 2018 257 читать далее
Влияние уровня освещённости на к.п.д. фотопреобразователя

Влияние уровня освещённости на к.п.д. фотопреобразователя

Используя общее выражение для вольтамперной характеристики фотопреобразователя 1 при определённых упрощениях можно получить зависимости качественно в первом приближении отражающие зависимости тока короткого замыкания Iкз и напряжения холостого хода Uхх от освещённости. Если предположить что величины определяющие вольтамперную характеристику не изменяются константы коэффициент заполнения f не зависит от уровня освещённости а фототок пропорционален освещённости то получатся следующие зависимости которые достаточно корректны и в полной мере отражают общую динамику изменения этих хар. .... Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного. Излучения. Специальность Твердотельная электроника радиоэлектронные компоненты микро и наноэлектроника приборы на квантовых эффектах. диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Научный консультант Доктор технических наук профессор В.П. Афанасьев.
10 February, 2020 208 читать далее