Влияние спектра на вах фотопреобразователей. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Влияние спектра излучения на характеристические

Влияние спектра излучения на характеристические

2. Влияние спектра источника излучения на ВАХ и другие характеристики СБ В силу зонного строения полупроводника а также свойств материала по. отношению к составляющим оптического спектра для оптимальной работы каждого СОЭ необходимо излучение определенного спектрального состава. С помощью спектрофотометра SPECTROPHOTOMETR U21830 был снят спектр излучения лампы накаливания рис. 3 . Рисунок 3. Спектр излучения лампы накаливания. Рисунок 4. Спектр излучения галогеновой лампы. Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи. 7. В спектре лампы накаливания рис. 3 преоб. ....Только в результате анализа всей вольтамперной характеристики солнечного элемента и влияния на нее спектра ^гадающего излучения может €ыть получена зависимость возможного КПД от ширины запрещенной зоны полупроводника. Такой расчет был выполнен впервые [82] с использованием спектров наземного солнечного излучения из работы [83]. Оптические и фотоэлектрические потери оценивались значениями весьма близкими к оптимизированным для солнечных элементов из разных полупроводниковых материалов. Последующий расчет максимального КПД привел к нескольким показательным зависимостям некоторые из которых пр.
29 January, 2018 150 читать далее
8.3.фотоэлектрические эффекты в pnпереходе. влияние светового потока на вах pnперехода.

8.3.фотоэлектрические эффекты в pnпереходе. влияние светового потока на вах pnперехода.

Световые характеристики вентильных фотоэлементов зависят от нагрузки. Пи малой нагрузке Iф линейно зависит от освещенности. При увеличении нагрузки зависимость становится нелинейной. Внешним фотоэффектом фотоэлектронной эмиссией называется испускание электронов веществом под действием света. . Энергетическая характеристика pn перехода связывает фототок со световым потоком падающим на фотодиод рис. 8.9 б. При работе в вентильном режиме спектральные характеристики существенно зависят от сопротивления резистора включенного во внешнюю цепь. С ростом нагрузочного сопротивления характеристики все более искривляются и при больших сопротивлениях имеют ярко выраженный участок насыщения. ....Фотоэлектрический эффект и ВАХ. Для генерации электричества от солнца вам нужен солнечный модуль который состоит из одного или многих солнечных фотоэлектрических элементов. Когда на солнечный элемент падает солнечных свет материал солнечного элемента поглощает часть солнечного света фотоны . Каждый фотон имеет малое количество энергии. Когда фотон поглощается он инициирует процесс освобождения электрона в солнечном элементе. Вследствие того что обе стороны фотоэлектрического элемента имеют токоотводы в цепи возникает ток когда фотон поглощается. Солнечный элемент генерирует электричество.
31 January, 2019 116 читать далее
Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи pdf

Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи pdf

2. Влияние спектра источника излучения на ВАХ и другие характеристики СБ В силу зонного строения полупроводника а также свойств материала по отношению к составляющим оптического спектра для оптимальной работы каждого СОЭ необходимо излучение определенного спектрального состава. С помощью спектрофотометра SPECTROPHOTOMETR U21830 был снят спектр излучения лампы накаливания рис. 3 . Рисунок 3. Спектр излучения лампы накаливания. Рисунок 4. Спектр излучения галогеновой лампы. 5 Влияние спектра излучения на характеристические кривые солнечной батареи 7 В спектре лампы накаливания рис. 3 преобл. ....вольтамперной характеристики ВАХ рис. 4 где Is – ток насыщения а Iph – фототок. ВАХ поясняет эквивалентная схема фотоэлемента рис. 5 включающая источник тока Iph=SqN0Q где S – площадь фотоэлемента а коэффициент собирания Q – безразмерный множитель
12 May, 2017 225 читать далее
Лекция 11

Лекция 11

Рисунок 5.7 Вольтамперная характеристика солнечного элемента. Влияние на КПД температуры и уровня освещённости. Рисунок 5.8 Температурная зависимость. спектральной. чувствительности. кремниевого солнечного элемента. Рисунок 5.9 Зависимости плотности тока короткого. замыкания 1 и напряжения холостого хода 2 СЭ от интенсивности облучения. Рисунок Зависимость КПД СЭ от интенсивности облучения. Влияние на КПД последовательного и параллельного сопротивлений. Рисунок – Влияние последовательного и параллельного сопротивлений на вольтамперную характеристику солнечного элемента.. ....Параметры и характеристики фотоэлементов. В качестве параметров фотоэлементов как и для полупроводниковых фотоприемников используются чувствительность квантовый выход квантовая эффективность шумы минимально регистрируемая мощность излучения пороговый поток обнаружительная способность темновой ток постоянная времени сопротивление. Эксплуатационные и конструктивные параметры максимально допустимая рассеиваемая мощность нестабильность чувствительности и темпового тока во времени температурный коэффициент чувствительности и др. . Вольтамперная характеристика ВАХ ф = f Ua . ВАХ фотоэлементов называют зависимость фототока ф от напряжения анода UB при неизменном световом потоке Ф = const.
31 March, 2019 175 читать далее
Влияние радиации на кпд солнечною элемента фотопреобразователи солнечной энергии

Влияние радиации на кпд солнечною элемента фотопреобразователи солнечной энергии

Чувствительный в голубой области спектра элемент с базой аналогичен рассмотренному выше элементу с ?базой за исключением того что области и ?типа здесь меняются местами. Видно что экспериментальные результаты для этих элементов хорошо описываются уравнением . Кривая проходящая через экспериментальные точки элемента с базой рассчитана при Ь0 = 119 мкм и К1 = 1 710'10. . От каких факторов зависит данная характеристика? 14. Чем ВАХ реальных СЭ отличаются от идеальных? 15. Что такое коэффициент идеальности СЭ какие значения он принимает? От каких параметров зависит еш величина? 16. Поясните влияние температуры на ВАХ СЭ. Как ведет себя СЭ при низких темпера турах при высоких темпера турах? 17. Как влияет радиация на эффективность работы СЭ? ....Используя общее выражение для вольтамперной характеристики фотопреобразователя 1 при определённых упрощениях можно получить зависимости качественно в первом приближении отражающие зависимости тока короткого замыкания Iкз и напряжения холостого хода Uхх от освещённости. Если предположить что величины определяющие вольтамперную характеристику не изменяются константы коэффициент заполнения f не зависит от уровня освещённости а фототок пропорционален освещённости то получатся следующие зависимости которые достаточно корректны и в полной мере отражают общую динамику изменения этих хар.
04 February, 2017 132 читать далее
Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе.

Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе.

Световая характеристика фоторезистора показана на рис. 4. Вольтамперная характеристика фоторезистора это зависимость фототока от величины приложенного напряжения при постоянном значении светового потока. В общем случае вольтамперная характеристика нелинейна но за счет того что конструкция фоторезисторов обеспечивает хороший отвод тепла с тонкого фоточувтвительного слоя рабочее тело не разогревается а рабочая точка не выходит за пределы линейного участка. см.рис. 6.5 . Рис. 6.4 Световая характеристика фоторезистора. . Они не стабильны во времени и подвержены влиянию температуры потому не находят широкого применения в измерительной технике. Однако в качестве чувствительных элементов автоматических устройств они незаменимы. ....Кроме того значение имеет вольтамперная характеристика в которой выходное напряжение зависит от выходного тока. Значение спектральных характеристик показывает соотношение фототока и величины световых волн падающих на фотодиод. Максимальное значение данного параметра находится в прямой зависимости от того насколько возрастает коэффициент поглощения. Фототок и освещенность определяют световую характеристику фотодиода. Обе величины имеют между собой прямую пропорциональную зависимость. Эта величина представляет временной отрезок на протяжении которого происходят изменения после того как фот.
31 May, 2019 122 читать далее
Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры

Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры

Вольтамперные ВАХ и вольтфарадные характеристики ВФХ исследовались с помощью амплитудночастотного анализатора Schlumberger SI 1255 & 1286. Спектры фототока исследовались при комнатной температуре при помощи монохроматора МДР3 с разрешающей способностью 26 A˚ . Все спектры нормировались относительно количества падающих фотонов. 3. Результаты и обсуждение. . На значение диодного коэффициента в реальных структурах также влияют шунтирующие токи величина которых зависит от тщательности приготовления образцов ГС. Они приводят к росту темнового тока насыщения не зависят от полярности приложенного напряжения и могут иметь разную полевую зависимость для разных образцов. ....1.3 Определение фототока диодных и выходных параметров ФЭП методами нагрузочной световой и темновой вольтамперных характеристик ВАХ . Для исследования фототока выходных и световых диодных параметров ФЭП с помощью нагрузочной световой ВАХ используют два основных метода метод непрерывного и метод импульсного облучения. Имитаторы непрерывного действия применяют как правило для измерения параметров единичных ФЭП небольшой площади чтобы исключить влияние внутренней емкости ФЭП в то время как имитаторы импульсного действия позволяют проводить качественные измерения параметров ФЭП с площадь.
14 December, 2018 173 читать далее
Влияние толщины и степени легирования на эффективность солнечного элемента на основе гетероструктуры algaas inp .

Влияние толщины и степени легирования на эффективность солнечного элемента на основе гетероструктуры algaas inp .

Принцип действия фотоэлектрических преобразователей фотоэлементов основан на явлении фотоэлектрического эффекта открытого русским ученым А. Г. Столетовым в 1888 году. Фотоэлектрический эффект осуществляется тремя различными способами в связи с чем различают три разновидности проявления фотоэффекта внешний внутренний и вентильный. Наибольшее применение нашли преобразователи двух последних типов. К преобразователям с внешним фотоэффектом относятся вакуумные и газонаполненные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. Вакуумные фотоэлементы состоят из вакуумированной стеклянной колбы содер. ....Фотоэлемент — электронный прибор который преобразует энергию фотонов в электрическую энергию. Подразделяются на электровакуумные и полупроводниковые фотоэлементы. Действие прибора основано на фотоэлектронной эмиссии или внутреннем фотоэффекте. Первый фотоэлемент основанный на внешнем фотоэффекте создал Александр Столетов в конце XIX века. Наиболее эффективными с энергетической точки зрения устройствами для превращения солнечной энергии в электрическую являются полупроводниковые фотоэлектрические.
14 March, 2018 299 читать далее
Оптимальный полупроводниковый материал и спектральная чувствительность . солнечная и другая альтернативная энергия

Оптимальный полупроводниковый материал и спектральная чувствительность . солнечная и другая альтернативная энергия

Осуществили моделирования данного фотоэлектрического преобразователя посредством программы PC1D [4;9]. В процессе моделирования была изменена толщина слоя AlGaAs c 0.1 до мкм 9 мкм степень легирования слоя InP с 1017 до 1019 и степень легирования слоя AlGaAs с 1017 до 1019. Влияние изменения толщины слоя AlGaAs на ВАХ показано на рисунке 2 [5;7;10]. Толщина слоя InP была фиксированная и составляла 1 3 мкм. Рисунок 1. Структура солнечного элемента на основе гетероструктуры AlGaAs – InP. Данное поведение ВАХ связанно с тем что в слое AlGaAs начинается фотогенерация носителей зарядов и с увел. ....Определение параметров вольтамперной. Характеристики фотопреобразователей. Цель работы Изучение принципа действия фотопреобразователя и определение его основных параметров. Приборы и оборудование используемые в работе Измеритель характеристик ППП Л256. . Вольтамперная характеристика ВАХ солнечного элемента отличается от ВАХ полупроводникового диода появлением члена Iф обозначающего собой ток генерируемый элементом под действием освещения часть которого Iд течет через рnпереход а другая часть I через внешнюю нагрузку Iф = Iд + I 1 . где.
19 June, 2018 131 читать далее
Фотоэлектрических эффект вольтамперная характеристики и коэффициент заполнения солнечного элемента

Фотоэлектрических эффект вольтамперная характеристики и коэффициент заполнения солнечного элемента

Спектральная характеристика фотоэлемента это зависимость тока короткого замыкания от длины волны падающего света. . Спектр лампы и Солнца отличаются тем что у Солнца больше коротковолнового излучения с большей энергией а у лампы больше длинноволновая составляющая. Таким образом лампа сильнее нагревает фотоэлемент поэтому ее свет дает меньший ток короткого замыкания и соответственно меньший КПД. Если энергия кванта света меньше ширины запрещенной зоны то фотоэффекта не будет вовсе поэтому существует минимальная энергия или максимальная длина волны при которой эффект ещё наблюдается. Для кремния Si ширина запрещенной зоны Eg=1 1 эВ что соответствует длине волны λmax=1 3 мкм и частоте ν=2 5·1014 . ....Конструкции материалы характеристики способы изготовления. Скачать статью Фотовольтаика материалы технологии перспективы. . Особое место среди альтернативных и возобновляемых источников энергии занимают фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии изучение которых превратилось в отдельное научное направление фотовольтаику. Однако высокая стоимость солнечных элементов до недавнего времени закрывала им путь в области где без них можно обойтись.
27 December, 2017 150 читать далее
Фотовольтаника материалы технологии перспективы. одна из лучших обзорных статей. алексей абакумов — жж

Фотовольтаника материалы технологии перспективы. одна из лучших обзорных статей. алексей абакумов — жж

Вольтамперная характеристика ВАХ фотоэлемента на основе рпперехода описывается уравнением вида . На рисунке представлено семейство обратных ветвей ВАХ рпперехода для различных значений светового потока. Из рисунка следует что pппереход смещенный в обратном направлении является эффективным фотодиодом. При поглощении квантов света в рппереходе или в прилегающих к нему областях полупроводников образуются неравновесные электроннодырочные пары которые диффундируют к рппереходу и разделяются его полем рис. В результате под действием потока светового излучения . ....Важные точки вольтамперной характеристики которые характеризуют солнечный модуль Солнечный модуль может работать при любой комбинации напряжения и тока расположенным на его вольтамперной характеристике ВАХ . Однако в реальности модуль работает в одной точке в данное время. Эта точка выбирается не модулем а электрическими характеристиками цепи к которой данный модуль или солнечная батарея подключен. Напряжение при котором ток равен 0 называется напряжением холостого хода Voc . С другой стороны ток при котором напряжение равно 0 называется током короткого замыкания Isc . В этих .
31 July, 2019 162 читать далее