Методы получения самоорганизованных si ge наноструктур. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации. © Ю.Н. Пархоменко ∗ А.И. Белогорохов ◦¶ Н.Н. Герасименко + А.В. Иржак∗ М.Г. Лисаченко =. ∗ Московский институт стали и сплавов Технологический университет 119936 Москва Россия ◦ ФГУП „Гиредмет“ 119017 Москва Россия + Московский государственный институт электронной техники Технический университет 103498 Москва Россия = Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова физический факультет 119892 Москва Россия. . Одним из них является метод ионного синтеза. В работе представлены результаты исследований свойств самоорганизованных квантовых точек Si1−x Gex. ¶ Email x = 0.3 впервые сформированных с помощью метода ионного синтеза. 2. Образцы и методика эксперимента. ....2.1. Получение самоупорядоченных SiGe наноструктур 40
20 April, 2017 184 читать далее
Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт.

Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт.

Методы получения самоорганизованных. Si—Geнаноструктур . 87. 4.1. Фундаментальные предпосылки . 87. 4.2. Рост и особенности упорядочения ансамблей. . Энергия электронного перехода в таких структурах должна определяться разницей между шириной запрещенной зоны Si 1 12 эВ и энергией дырочного состояния в GeКТ 0 43 эВ т. е. должна составлять 700 мэВ что согласуется с экспериментальным значением. положения линии T2 в спектре фототока примерно 730 мэВ . Более подробную информацию об электрофизических и оптических свойствах гетероструктур с КТ можно найти в обзорах [3—6]. Гетероструктуры с квантоворазмерными элементами на сегодняшний день получают главным образом с помощью МЛЭ. ....Глава 2. методы исследования наноструктур. 35. §2.1. Электронная микроскопия. . Основной из существующих в настоящее время способов получения графена в условиях научных лабораторий основан на механическом отщеплении или отшелушивании слоёв графита. Он позволяет получать наиболее качественные образцы с высокой подвижностью носителей. Этот метод не предполагает использования в масштабном производстве поскольку это ручная процедура. . Так для выращивания чистых элементарных полупроводников кремния Si и германия Ge требуется лишь одна ячейка. Если необходим легированный элементарный полупроводник то нужно добавить по крайней мере еще одну ячейку.
04 November, 2017 254 читать далее
Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Эффектыупорядочения при формировании наноструктур на основе SiGeSi . 115 4.5. Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128130] . 127 4.6. Получение наноразмерных SiGeструктур методом термического испарения . 140 Список литературы к главе 4 .142. Глава 5. Синтез проводящих и полупрводниковых соединений в кремнии . ....3. Методы получения самоорганизованных SiGe структур. 4. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников. 5. Оптические свойства квантоворазмерных структур SiGe. 6. Фотоэлектрические свойства квантоворазмерных структур SiGe. 7. Нанокристаллы кремния. 8. Перспективы кремниевой технологии.
31 March, 2018 259 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации

eLIBRARY ID 20333858. Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом Ионной Имплантации. Пархоменко Ю.Н. Белогорохов А.И. Герасименко Н.Н. Иржак а.в.1 Лисаченко М.Г. . Обнаружено что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия в результате чего образуются области нанометровых размеров обогащенные германием в которых его концентрация на 1012% выше чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. ..... Наноструктуры GeSiSi полученные методом молекулярно лучевой эпитаксии. . Методы создания наноструктурированных материалов на сегодняшний день основаны во первых на переносе искусственносозданной маски на однородный материал т.е. на использовании различных нанолитографических методов ультрафиолетовая литография рентгеновская литография электронно и ионнолучевая литография сканирующая зондовая литография и т.д. [8] и вовторых на использовании процесса самоформирования когда наноразмерные объекты образуются из однородного материала вследствие возникновения неравновесных условий. . Также самоорганизованные GeSiгетеронаноструктуры могут быть использованы как.
06 February, 2019 248 читать далее
Методы формирования самоорганизованных sige наноструктур

Методы формирования самоорганизованных sige наноструктур

Методы формирования самоорганизованных SiGe наноструктур. . Трухан Р. Э. Методы формирования самоорганизованных SiGe наноструктур Р. Э. Трухан Е. Н. Щербакова М. И. Маркевич Новые направления развития приборостроения Материалы 12й Международной научнотехнической конференции молодых ученых и студентов 17−19 апреля 2019 г. Белорусский национальный технический университет ; редкол. ....В системе GeSiSi 100 методом молекулярнолучевой эпитаксии были выращены самоорганизующиеся квантовые кольца. Внешний диаметр колец составлял примерно 300 нм высота – до 4 нм. Помимо колец на поверхности структуры содержались квантовые точки. Самосборка наноструктур из атомов адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов может служить примером самоорганизации в нанотехнологии. В этом случае используется метод молекулярнолучевой эпитаксии который позволяет формировать наноструктуры на атомарночистых поверхностях в условиях глубокого вакуума ~10_10 Тор . Контроль роста осуществ.
11 November, 2018 264 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации scipeople

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации scipeople

Аннотация С использованием методов ожеэлектронной спектроскопии атомносиловой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe впервые сформированных с использованием метода ионнолучевого синтеза. Обнаружено что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия в результате чего образуются области нанометровых размеров обогащенные германием в которых его концентрация на 1012% выше чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свой. ....Многие исследователи подразделяют способы получения наноструктур на методы наносборки и групповые методы. Наносборка подразумевает поатомную укладку каждой частицы структуры с помощью различных нанотехнологических установок или наномеханизмов. Такие методы характеризуются очень низкой производительностью но широкими возможностями направленного изменения структуры морфологии и свойств синтезируемых наночастиц.
13 June, 2019 226 читать далее
Самоорганизация структур наноэлектроника

Самоорганизация структур наноэлектроника

Самоорганизация структур. При создании упорядоченных наноструктур одним из методов является образование полупроводниковых островков осуществляемое гетероэпитаксией. Метод заключается в осаждении материала образующего островки на подложке состоящей из другого материала с близкой структурой и значением параметра решетки. . Самоорганизованные гетероструктуры А1 на Si а — СТМизображение 465X350 Л массива нанокластсров Al; 6 — схема атомной структуры получившихся магических кластеров состоящих из шести атомов металла серые кружки и соединенных через три атома кремния[1]. . В системах Ge—SiSi 100 например выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии были получены самоорганизующиеся квантовые кольца. ....Нетрадиционные методы формирования наноструктур В журнале Chemical Reviews 1999 99 No 7 представлен обстоятельный обзор включающий 285 ссылок по нетрадиционным методам формирования наноструктур. К их числу относятся. . Самоорганизованные Ge наноконусы как полевые эмиттеры Существуют три способа заставить твердое тело испускать электроны. Первый состоит просто в нагреве вещества когда под действием теплового возбуждения в твердом теле появляются достаточно энергичные электроны способные преодолеть существующий на поверхности барьер равный работе выхода. . Германиевые островки формировались на подложке Si 111 со сверхструктурой 7х7 путем вакуумного напыления Ge до эффективной толщины 2.5нм при температуре 650К.
07 May, 2019 290 читать далее
Кремний материал наноэлектроники литература в один клик

Кремний материал наноэлектроники литература в один клик

Предисловие Введение Глава 1. Физические принципы наноэлектроники Глава 2. Кремниевая одноэлектроника Глава 3. Оптические и фотоэлектрические свойства квантоворазмерных структур Si—Ge Глава 4. Методы получения самоорганизованных Si—Ge наноструктур Глава 5. Синтез проводящих и полупроводниковых соединений в кремнии Глава 6. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников Глава 7. Нанокристаллы кремния получаемые разными способами Глава 8. Квантовые точки из монокристаллического Si ....НАНОСТРУКТУ́РЫ собирательное название объектов веществ материалов конструкций искусств. или естеств. происхождения представляющих собой совокупность элементов размеры которых в одном двух или трёх направлениях соизмеримы с фундам. физич. параметрами имеющими размерность длины. Такими параметрами являются длина свободного пробега электрона дебройлевская длина волны размер магнитных доменов размер экситона в полупроводниках длина когерентности в сверхпроводниках длина волны упругих колебаний в конденсиров. веществе и др. Размер составляющих структурных элементов Н. лежит в предела.
02 June, 2018 113 читать далее
Методы формирования трехмерных микро и наноструктур на основе напряженных sigesi пленок

Методы формирования трехмерных микро и наноструктур на основе напряженных sigesi пленок

3. p+SiGeSi пленки выращиваемые методом химического осаждения из газовой фазы и высокоселективный травитель на основе аммиака используемый при низких температурах обеспечивают наивысшую воспроизводимость процесса формирования трёхмерных SiGeSi микро и наноструктур. 4. Сравнение радиусов изгиба гибридных трёхмерных структур различной формы позволяют определить модули Юнга тонких металлических и диэлектрических плёнок нанесённых на SiGeSi структуры. . Однако на сегодняшний день наибольшие успехи достигнуты в области получения Si и Ge нанопроволок [2 17] в то время как о заметных успехах в деле массового изготовления прецизионных кремниевых нанотрубок говорить пока еще рано. ....Исследовано влияние технологических параметров температура подложки количество слоев Ge ионная обработка на оптические свойства SiGe наноструктур с квантовыми точками Ge. В спектрах комбинационного рассеянии света SiGe наноструктур наблюдались линии связанные с SiSi GeGe и SiGe колебательными модами. Обработка SiGe наноструктур в плазме водорода приводит к изменению спектральной формы и значительному увеличению интенсивности полосы люминесценции в области энергии 0 8 эВ связанной с излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда электронов дырок на квантовых точках G.
23 April, 2018 158 читать далее
Методы получения наноструктур

Методы получения наноструктур

Методы получения наноструктур. К настоящему моменту известны десятки методов создания наноструктурированных материалов. Принципиально все методы получения наноструктур возможно условно разделить на два больших класса – физические и химические методы. . 1 группа методов получения и изучения наночастиц конденсация при сверхнизких температурах варианты химического фотохимического и радиационного восстановления лазерное испарение не позволяет создавать новые материалы. П группа методов позволяет получать на основе наночастиц наноматериалы и нанокомпозиты варианты механохимического дробления конденсация из газовой фазы плазмохимические методы и др. ....Голод Сергей Владиславович. Методы формирования трёхмерных микро и наноструктур на основе напряжённых SiGeSi плёнок дис. канд. физ.мат. наук Новосибирск 2006 206 с. РГБ ОД 61071398. . Впервые сформированы SiGeSi трёхмерные микро и наноструктуры с радиусом изгиба от 5 нм до 20 мкм. Впервые исследовано структурное совершенство SiGeSi нанотрубок. Показано что нанотрубки в том числе с диаметром 10 нм имеют монокристаллические стенки. . Отметим что предложенный нами метод получения микро и нанооболочек на основе сильнолегированных бором напряженных пленок p+SiGeSi включает в себя ряд процессов эпитаксиалыюго роста литографии и травления которые полностью соответствуют требованиям и возможностям современной технологии ИС и МЭМС.
19 December, 2018 172 читать далее
Методы формирования наноструктур основанные на самоорганизации самосборка наноструктур в поле квазирезонансного лазерного излучения

Методы формирования наноструктур основанные на самоорганизации самосборка наноструктур в поле квазирезонансного лазерного излучения

В общем случае все методы создания наноструктур можно разделить на два типа. Первый тип метод сверхувниз второй снизувверх. При методах сверхувниз формирование структур начинается с формирования крупномасштабного образца в дальнейшем уменьшаемого до наноразмеров. Методы снизувверх начинают с атомов и молекул и строят из них наноструктуры. Рассмотрим отдельно реализацию уже известных подходов к формированию наноструктур отметив их преимущества и недостатки. Фотолитография на данный момент самый распространенный метод формирования структур сверхувниз. Поскольку экспонирован. ....14 1. НАНОСТРУКТУРЫ GeSiSi ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА 1.1. МЕТОДЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si И Ge Эпитаксией называют процесс роста ориентированного монокристаллического слоя на монокристаллической подложке которая выполняет роль затравки. Различают гомоэпитаксию в случае когда материалы подложки и эпитаксиального слоя ЭС идентичны и гетероэпитаксию в случае когда материалы подложки и ЭС различны .
01 January, 2019 235 читать далее