Методы получения самоорганизованных si ge наноструктур. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Содержание

Содержание

Свойства самоорганизованных Si—Geнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128—130 . 127 4.6. Получение наноразмерных Si—Geструктур. методом термического испарения . 140. . Глава 7. Нанокристаллы кремния получаемые разными способами .227. 7.1. Получение нанокристаллических пленок кремния методом CVD. 227. 7.2. Нанокристаллы кремния полученные с помощью электрохимического процесса . ....4. Методы получения упорядоченных наноструктур . 4.1. Эпитаксия металлоорганических соединений из газовой фазы. 4.2. Молекулярнолучевая эпитаксия. 4.3. Самоорганизация при эпитаксиальном росте. 4.4. МЛЭ и реализация идей сверхрешетки для устройств наноэлектроники. 4.5. Возможности методов МЛЭ и ГФЭ МОС в наноэлектронике. 4.6. Создание упорядоченных квантовых наноструктур. Концепция сверхувниз. . Ионный синтез квантовых CoSi2 проволок. Самоорганизованные квантовые точки Si0 7Ge0 3 полученные методом ионного синтеза. 4.8. Примеры приборов на квантовых точках. 4.9. Сборка наноструктур под влиянием механического напряжения. Автоматическая сборка наноструктур. Управляемая ДНКсборка наноструктур. 5. Искусственное наноформообразование +.
06 July, 2017 141 читать далее
Методы получения наноструктур

Методы получения наноструктур

Методы получения наноструктур. К настоящему моменту известны десятки методов создания наноструктурированных материалов. Принципиально все методы получения наноструктур возможно условно разделить на два больших класса – физические и химические методы. При этом нужно подчеркнуть что подход снизувверх характерен в большей степени для химических методов получения. Процессы получения наноматериалов включают как этап их синтеза так и этап их стабилизации. Учитывая так же что наноструктуры проявляют свои уникальные свойства в большинстве случаев именно в неравновесном метастабильном состоянии. ....Титанат бария. Для ряда веществ и фрагментов наноструктур химическое осаждение из газовой фазы дает дополнительные возможности управления и контроля. Дополнительная очистка реагента при испарении. Чистота продукта как следствие селективности химических превращений Несколько мягких параметров позволяющих варьировать скорость роста Равномерное осаждение на подложки сложной формы. Возможность in situ контроля состава реакционной среды. Возможность получения долгоживущих метастабильных продуктов в том числе экзотических. Длительность непрерывность относительно низкие энергозатраты. Возможн.
15 February, 2018 106 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации. © Ю.Н. Пархоменко ∗ А.И. Белогорохов ◦¶ Н.Н. Герасименко + А.В. Иржак∗ М.Г. Лисаченко =. . Несоответствие периодов кристаллических решеток кремния и германия составляющее ∼ 4% является причиной возникновения в структуре SiGe значительных упругих напряжений релаксация которых при определенных условиях изменение толщины слоя твердого слоя Si−Ge условия получения и др. происходит за счет генерации дислокаций. ....Многие исследователи подразделяют способы получения наноструктур на методы наносборки и групповые методы. Наносборка подразумевает поатомную укладку каждой частицы структуры с помощью различных нанотехнологических установок или наномеханизмов. Такие методы характеризуются очень низкой производительностью но широкими возможностями направленного изменения структуры морфологии и свойств синтезируемых наночастиц.
07 December, 2017 109 читать далее
Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт. страница 6.

Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт. страница 6.

Методы получения самоорганизованных Si—Geнаноструктур101. для одного островка и его размеры а плотность возрастает. Понизив температуру роста до 550 ° C и увеличивая поток Ge можно варьировать плотность островков вплоть до 1010 ñì− 2 [55]. . В соответствии с такой зонной структурой подвижности электронов в беспримесных кристаллах Si и Ge при 300 К составляют 1450 и 3900 см2 В с соответственно. Изоэнергетические поверхности двух верхних валентных зон в Si и Ge вырожденных в точке Г зоны Бриллюэна анизотропны и не являются параболическими. Во многих случаях этими усложнениями пренебрегают и пользуются значениями эффективных масс легких lh и тяжелых hh дырок в сферическом приближении mlhm0 = 0 159 mhhm0 = 0 467 äëÿ Si è mlhm0 = 0 0424 mhhm0 = 0 316 для Ge . ....структур далее – наноструктур относится к направлению нанотехнологии. Важными. . С одной стороны методы нанотехнологии позволяют получать принципиально новые устройства и материалы с характеристиками значительно превышающими их современный уровень. Это первостепенно важно для создания новой элементной базы для выпуска наноустройств будущего независимо от физических принципов их функционирования. . В ряде случаев самоорганизованные наноразмерные структуры обладают рядом дополнительных уникальных свойств таких как повышенная стабильность и радиационная стойкость. Особое место занимают гетероструктуры сознанные с помощью ионного синтеза и ионной модификации при внедрении в подложку ионов другого вещества.
21 October, 2018 239 читать далее
Методы получения упорядоченных наноструктур искусственное наноформообразование наноэлектроника

Методы получения упорядоченных наноструктур искусственное наноформообразование наноэлектроника

Предложенным методом можно создать целый класс полупроводниковых наноструктур трубки спирали кольца и т.д. Получены свободные твердотельные нанотрубки с диаметром до 2 нм. Предложены методы направленного сворачивания пленок позволяющие формировать сложные конструкции организованные массивы нанотрубок и нанообъектов которые могут применяться в качестве строительных элементов для создания приборов наноэлектроники наномеханики различных фильтров. . Информация о структурном совершенстве и размерах созданных нанотрубок была получена с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. ....Особенно важными для получения наноструктур с заданными характеристиками являются процессы образования конденсированных форм при гидролизе прекурсоров. Очевидно что именно эта стадия определяет морфологию и фазовый состав получаемых продуктов. Таким образом для направленного получения наносистем зольгель методом необходимо знание механизмов гидролиза и поликонденсации. . Методы сольвотермального синтеза и синтеза в сверхкритических растворителях позволяют получать самые разные типы наноструктур начиная от простых веществ Ge Si оксидов и халькогенидов металлов таких как SiO2 TiO2 ZnO PbS ZnS CdS рис. 14. 4.1 и заканчивая сложными оксидными соединениями SrFe12O19 LaMnO3 и т.д. и наноструктурами цеолиты мезопористые оксиды .
20 February, 2017 143 читать далее
Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Эффектыупорядочения при формировании наноструктур на основе SiGeSi . 115 4.5. Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128130] . 127 4.6. Получение наноразмерных SiGeструктур методом термического испарения . 140 Список литературы к главе 4 .142. Глава 5. Синтез проводящих и полупрводниковых соединений в кремнии . ....На данный момент времени получены разнообразные наноструктуры которые могут найти применение в медицине оптике нанофотонике и наноэлектроники в качестве катализаторов магнитных материалов и т.д. Рассмотрим возможные применения различных наночастиц и структур более подробно. Одним из возможных приложений нанообъектов является сенсорика. . В общем случае все методы создания наноструктур можно разделить на два типа. Первый тип метод сверхувниз второй снизувверх. При методах сверхувниз формирование структур начинается с формирования крупномасштабного образца в дальнейшем уменьшаемого до наноразмеров. Методы снизувверх начинают с атомов и молекул и строят из них наноструктуры.
01 February, 2018 294 читать далее
Электронный каталог 4. методы получения самоорганизованных sigeнаноструктур absopac

Электронный каталог 4. методы получения самоорганизованных sigeнаноструктур absopac

Книга аналит. описание Автор Кремний материал наноэлектроники 4. Методы получения самоорганизованных SiGeнаноструктур б.г. ISBN отсутствует. На полку. Книга аналит. описание . 4. Методы получения самоорганизованных SiGeнаноструктур Кремний материал наноэлектроники учеб. пособие для студ. вузов спец. 210600 'Нанотехнология' и спец. 210100 'Электроника и микроэлектроника' Н. Н. Герасименко Ю. Н. Пархоменко . – М. Техносфера 2007 . – с. 91147 . – ....4. Методы получения упорядоченных наноструктур . 4.1. Эпитаксия металлоорганических соединений из газовой фазы. 4.2. Молекулярнолучевая эпитаксия. 4.3. Самоорганизация при эпитаксиальном росте. 4.4. МЛЭ и реализация идей сверхрешетки для устройств наноэлектроники. 4.5. Возможности методов МЛЭ и ГФЭ МОС в наноэлектронике. 4.6. Создание упорядоченных квантовых наноструктур. Концепция сверхувниз. . Ионный синтез квантовых CoSi2 проволок. Самоорганизованные квантовые точки Si0 7Ge0 3 полученные методом ионного синтеза. 4.8. Примеры приборов на квантовых точках. 4.9. Сборка наноструктур под влиянием механического напряжения. Автоматическая сборка наноструктур. Управляемая ДНКсборка наноструктур. 5. Искусственное наноформообразование +.
30 November, 2018 215 читать далее
Физика наноструктур

Физика наноструктур

Глава 2. методы исследования наноструктур. 35. §2.1. Электронная микроскопия. . Основной из существующих в настоящее время способов получения графена в условиях научных лабораторий основан на механическом отщеплении или отшелушивании слоёв графита. Он позволяет получать наиболее качественные образцы с высокой подвижностью носителей. Этот метод не предполагает использования в масштабном производстве поскольку это ручная процедура. . Так для выращивания чистых элементарных полупроводников кремния Si и германия Ge требуется лишь одна ячейка. Если необходим легированный элементарный полупроводник то нужно добавить по крайней мере еще одну ячейку. ..... Наноструктуры GeSiSi полученные методом молекулярнолучевой эпитаксии. Наноструктуры GeSiSi полученные методом сублимационной молекулярнолучевой эпитаксии с газофазным источником германия. . 3. Получение с помощью метода СОМ распределения концентрации германия и кремния по глубине островков выращенных двумя методами молекулярнолучевой эпитаксии при различных параметрах ростового процесса. Научная новизна 1. Развита методика проведения локального анализа полупроводниковых наноструктур GeSiSi методом сканирующей ожемикроскопии. . Также самоорганизованные GeSiгетеронаноструктуры могут быть использованы как фотодетекторы с регистрируемой длиной волны равной 1.2 – 3 мкм [12 13].
30 December, 2018 270 читать далее
Государственное образовательное учреждение высшего

Государственное образовательное учреждение высшего

Наноструктуры GeSiSi полученные методом молекулярнолучевой эпитаксии. 111 . . Методы создания наноструктурированных материалов на сегодняшний день основаны вопервых на переносе искусственносозданной маски на однородный материал т.е. на использовании различных нанолитографических методов ультрафиолетовая литография рентгеновская литография электронно и ионнолучевая литография сканирующая зондовая литография и т.д. [8] и вовторых на использовании процесса самоформирования когда наноразмерные объекты образуются из однородного материала вследствие возникновения неравновесных условий. . Также самоорганизованные GeSiгетеронаноструктуры могут быть использованы как. ....Исследование качеств структур GeSi. GeSi гетероструктуры с квантовыми точками рост и особенности упорядочения и эффекты самоорганизации. Влияние температуры роста и качества поверхности на формирование квантовых наногетероструктур GeSi. Методика и значение дифракции быстрых электронов. Рубрика. . Взрыв интереса к данной области связан с необходимостью получения полупроводниковых наноструктур с размерами в диапазоне нескольких нанометров чтобы обеспечить энергетические зазоры между подуровнями электронов и дырок порядка нескольких kT при комнатной температуре. А спонтанное упорядочение наноструктур позволяет получать включения узкозонных полупроводников в широкозонной матрице и тем самым создавать локализующий потенциал для носителей тока.
27 October, 2017 171 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации scipeople

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации scipeople

Аннотация С использованием методов ожеэлектронной спектроскопии атомносиловой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe впервые сформированных с использованием метода ионнолучевого синтеза. Обнаружено что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия в результате чего образуются области нанометровых размеров обогащенные германием в которых его концентрация на 1012% выше чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свой. ....14 1. НАНОСТРУКТУРЫ GeSiSi ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА 1.1. МЕТОДЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si И Ge Эпитаксией называют процесс роста ориентированного монокристаллического слоя на монокристаллической подложке которая выполняет роль затравки. Различают гомоэпитаксию в случае когда материалы подложки и эпитаксиального слоя ЭС идентичны и гетероэпитаксию в случае когда материалы подложки и ЭС различны .
25 March, 2018 251 читать далее
Слои si02 со встроенными самоорганизованными нанокристаллами chk ge

Слои si02 со встроенными самоорганизованными нанокристаллами chk ge

Толщина исходного слоя Ge в структуре SiSiO2GeSi является критичным па­ раметром в зарождении и эволюции нанокристаллов германия. Наиболее близкой к оптимальной в смысле гомогенности по размерам и поверхностной плотности этих нанокристаллов является толщина исходного слоя Ge около 0 7 нм. Как следует из статистического анализа ПЭМизображений рис. 3 слои Ge толще 0 7 нм трансформируются в протяженные островки характеризующиеся высокой плотно­ стью большим значением среднего размера и разбросом его крайних показателей. . отжиг в инертной среде для получения самоорганизованных нанокристаллов Ge. Показано существование гистерезиса С Vхарактеристик МОПструктур с нано­. кристаллами германия. . Хансену за выращивание слоев Si и Ge методом. МЛЭ. ..... Материалы одномерных наноструктур. Нульмерные структуры рассматриваются в теоретических работах. Одномерными принято называть наноструктуры размер которых в одном направлении значительно превосходит размеры в двух других причем последние находятся в я0диапазоне т.е. менее 100 нм . В зависимости от соотношения геометрических размеров в различных направлениях можно выделить следующие типы одномерных наночастиц • Lc La ~ Lh размер в одном из направлений значительно более чем на порядок превосходит размер в двух других а частицу можно условно считать цилиндрической с высотой.
09 November, 2018 261 читать далее