Методы получения самоорганизованных si ge наноструктур. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт.

Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт.

Методы получения самоорганизованных. Si—Geнаноструктур . 87. 4.1. Фундаментальные предпосылки . . Энергия электронного перехода в таких структурах должна определяться разницей между шириной запрещенной зоны Si 1 12 эВ и энергией дырочного состояния в GeКТ 0 43 эВ т. е. должна составлять 700 мэВ что согласуется с экспериментальным значением. положения линии T2 в спектре фототока примерно 730 мэВ . ....На данный момент времени получены разнообразные наноструктуры которые могут найти применение в медицине оптике нанофотонике и наноэлектроники в качестве катализаторов магнитных материалов и т.д. Рассмотрим возможные применения различных наночастиц и структур более подробно. Одним из возможных приложений нанообъектов является сенсорика. . В общем случае все методы создания наноструктур можно разделить на два типа. Первый тип метод сверхувниз второй снизувверх. При методах сверхувниз формирование структур начинается с формирования крупномасштабного образца в дальнейшем уменьшаемого до наноразмеров. Методы снизувверх начинают с атомов и молекул и строят из них наноструктуры.
23 September, 2018 116 читать далее
Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Эффектыупорядочения при формировании наноструктур на основе SiGeSi . 115 4.5. Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128130] . 127 4.6. Получение наноразмерных SiGeструктур методом термического испарения . 140 Список литературы к главе 4 .142. Глава 5. Синтез проводящих и полупрводниковых соединений в кремнии . ....2.1. Получение самоупорядоченных SiGe наноструктур 40
12 May, 2017 283 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации. © Ю.Н. Пархоменко ∗ А.И. Белогорохов ◦¶ Н.Н. Герасименко + А.В. Иржак∗ М.Г. Лисаченко =. ∗ Московский институт стали и сплавов Технологический университет 119936 Москва Россия ◦ ФГУП „Гиредмет“ 119017 Москва Россия + Московский государственный институт электронной техники Технический университет 103498 Москва Россия = Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова физический факультет 119892 Москва Россия. . Одним из них является метод ионного синтеза. В работе представлены результаты исследований свойств самоорганизованных квантовых точек Si1−x Gex. ¶ Email x = 0.3 впервые сформированных с помощью метода ионного синтеза. 2. Образцы и методика эксперимента. ....Нетрадиционные методы формирования наноструктур В журнале Chemical Reviews 1999 99 No 7 представлен обстоятельный обзор включающий 285 ссылок по нетрадиционным методам формирования наноструктур. К их числу относятся. . Самоорганизованные Ge наноконусы как полевые эмиттеры Существуют три способа заставить твердое тело испускать электроны. Первый состоит просто в нагреве вещества когда под действием теплового возбуждения в твердом теле появляются достаточно энергичные электроны способные преодолеть существующий на поверхности барьер равный работе выхода. . Германиевые островки формировались на подложке Si 111 со сверхструктурой 7х7 путем вакуумного напыления Ge до эффективной толщины 2.5нм при температуре 650К.
27 January, 2018 280 читать далее
Содержание

Содержание

Свойства самоорганизованных Si—Geнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128—130 . 127 4.6. Получение наноразмерных Si—Geструктур. методом термического испарения . 140. . Глава 7. Нанокристаллы кремния получаемые разными способами .227. 7.1. Получение нанокристаллических пленок кремния методом CVD. 227. 7.2. Нанокристаллы кремния полученные с помощью электрохимического процесса . ..... Наноструктуры GeSiSi полученные методом молекулярно лучевой эпитаксии. . Методы создания наноструктурированных материалов на сегодняшний день основаны во первых на переносе искусственносозданной маски на однородный материал т.е. на использовании различных нанолитографических методов ультрафиолетовая литография рентгеновская литография электронно и ионнолучевая литография сканирующая зондовая литография и т.д. [8] и вовторых на использовании процесса самоформирования когда наноразмерные объекты образуются из однородного материала вследствие возникновения неравновесных условий. . Также самоорганизованные GeSiгетеронаноструктуры могут быть использованы как.
12 June, 2017 201 читать далее
Физика наноструктур

Физика наноструктур

Глава 2. методы исследования наноструктур. 35. §2.1. Электронная микроскопия. . Основной из существующих в настоящее время способов получения графена в условиях научных лабораторий основан на механическом отщеплении или отшелушивании слоёв графита. Он позволяет получать наиболее качественные образцы с высокой подвижностью носителей. Этот метод не предполагает использования в масштабном производстве поскольку это ручная процедура. . Так для выращивания чистых элементарных полупроводников кремния Si и германия Ge требуется лишь одна ячейка. Если необходим легированный элементарный полупроводник то нужно добавить по крайней мере еще одну ячейку. ....Многие исследователи подразделяют способы получения наноструктур на методы наносборки и групповые методы. Наносборка подразумевает поатомную укладку каждой частицы структуры с помощью различных нанотехнологических установок или наномеханизмов. Такие методы характеризуются очень низкой производительностью но широкими возможностями направленного изменения структуры морфологии и свойств синтезируемых наночастиц.
11 March, 2019 254 читать далее
Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального

Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального

3. Методы получения самоорганизованных SiGe структур. 4. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников. 5. Оптические свойства квантоворазмерных структур SiGe. 6. Фотоэлектрические свойства квантоворазмерных структур SiGe. 7. Нанокристаллы кремния. 8. Перспективы кремниевой технологии. ....Аннотация С использованием методов ожеэлектронной спектроскопии атомносиловой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe впервые сформированных с использованием метода ионнолучевого синтеза. Обнаружено что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия в результате чего образуются области нанометровых размеров обогащенные германием в которых его концентрация на 1012% выше чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свой.
04 April, 2018 114 читать далее
Фотоэлектрические свойства наноструктур gesisi pdf

Фотоэлектрические свойства наноструктур gesisi pdf

14 1. НАНОСТРУКТУРЫ GeSiSi ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА 1.1. МЕТОДЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si И Ge Эпитаксией называют процесс роста ориентированного монокристаллического слоя на монокристаллической подложке которая выполняет роль затравки. Различают гомоэпитаксию в случае когда материалы подложки и эпитаксиального слоя ЭС идентичны и гетероэпитаксию в случае когда материалы подложки и ЭС различны . ....Самоорганизация структур. При создании упорядоченных наноструктур одним из методов является образование полупроводниковых островков осуществляемое гетероэпитаксией. Метод заключается в осаждении материала образующего островки на подложке состоящей из другого материала с близкой структурой и значением параметра решетки. . Самоорганизованные гетероструктуры А1 на Si а — СТМизображение 465X350 Л массива нанокластсров Al; 6 — схема атомной структуры получившихся магических кластеров состоящих из шести атомов металла серые кружки и соединенных через три атома кремния[1]. . В системах Ge—SiSi 100 например выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии были получены самоорганизующиеся квантовые кольца.
08 November, 2017 263 читать далее
Электронный каталог 4. методы получения самоорганизованных sigeнаноструктур absopac

Электронный каталог 4. методы получения самоорганизованных sigeнаноструктур absopac

Книга аналит. описание Автор Кремний материал наноэлектроники 4. Методы получения самоорганизованных SiGeнаноструктур б.г. ISBN отсутствует. На полку. Книга аналит. описание . 4. Методы получения самоорганизованных SiGeнаноструктур Кремний материал наноэлектроники учеб. пособие для студ. вузов спец. 210600 'Нанотехнология' и спец. 210100 'Электроника и микроэлектроника' Н. Н. Герасименко Ю. Н. Пархоменко . – М. Техносфера 2007 . – с. 91147 . – ....eLIBRARY ID 20333858. Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом Ионной Имплантации. Пархоменко Ю.Н. Белогорохов А.И. Герасименко Н.Н. Иржак а.в.1 Лисаченко М.Г. 1 Московский институт стали и сплавов Технологический университет 119936 Москва Россия. . С использованием методов ожеэлектронной спектроскопии атомносиловой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe впервые сформированных с использованием метода ионнолучевого синтеза.
26 March, 2018 184 читать далее
Методы получения наноструктур

Методы получения наноструктур

Методы получения наноструктур. К настоящему моменту известны десятки методов создания наноструктурированных материалов. Принципиально все методы получения наноструктур возможно условно разделить на два больших класса – физические и химические методы. При этом нужно подчеркнуть что подход снизувверх характерен в большей степени для химических методов получения. Процессы получения наноматериалов включают как этап их синтеза так и этап их стабилизации. Учитывая так же что наноструктуры проявляют свои уникальные свойства в большинстве случаев именно в неравновесном метастабильном состоянии. ....Для получения гетероструктур с самоорганизованными квантовыми точками используют два основных метода метод молекулярнолучевой эпитаксии МЛЭ и метод газофазной эпитаксии из металлорганических соединений ГФЭ МОС . . Для выращивания например элементарных полупроводников Si Ge требуется один источник основного материала и источники легирующей примеси. В случае сложных полупроводников двойных или тройных соединений требуется отдельный источник для испарения каждого компонента пленки например для AlGaAs требуются отдельные источники Al Ga As . . Эти методы получения квантоворазмерных структур появились после изобретения сканирующего туннельного микроскопа СТМ и атомносилового микроскопа АСМ .
07 January, 2017 274 читать далее
Наноразмерные структуры . рис. наноструктуры различной размерности

Наноразмерные структуры . рис. наноструктуры различной размерности

структур далее – наноструктур относится к направлению нанотехнологии. Важными. . С одной стороны методы нанотехнологии позволяют получать принципиально новые устройства и материалы с характеристиками значительно превышающими их современный уровень. Это первостепенно важно для создания новой элементной базы для выпуска наноустройств будущего независимо от физических принципов их функционирования. . В ряде случаев самоорганизованные наноразмерные структуры обладают рядом дополнительных уникальных свойств таких как повышенная стабильность и радиационная стойкость. Особое место занимают гетероструктуры сознанные с помощью ионного синтеза и ионной модификации при внедрении в подложку ионов другого вещества. ....В системе GeSiSi 100 методом молекулярнолучевой эпитаксии были выращены самоорганизующиеся квантовые кольца. Внешний диаметр колец составлял примерно 300 нм высота – до 4 нм. Помимо колец на поверхности структуры содержались квантовые точки. Самосборка наноструктур из атомов адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов может служить примером самоорганизации в нанотехнологии. В этом случае используется метод молекулярнолучевой эпитаксии который позволяет формировать наноструктуры на атомарночистых поверхностях в условиях глубокого вакуума ~10_10 Тор . Контроль роста осуществ.
26 September, 2017 109 читать далее
Исследование качеств структур gesi

Исследование качеств структур gesi

Исследование качеств структур GeSi. GeSi гетероструктуры с квантовыми точками рост и особенности упорядочения и эффекты самоорганизации. Влияние температуры роста и качества поверхности на формирование квантовых наногетероструктур GeSi. . Наиболее многообещающим методом формирования упорядоченных массивов КП и КТ является метод использующий явление самоорганизации на кристаллических поверхностях. Релаксация упругих напряжений в случаях роста на рассогласованных по параметру решетки материалах может приводить к формированию упорядоченных массивов КТ. . А спонтанное упорядочение наноструктур позволяет получать включения узкозонных полупроводников в широкозонной матрице и тем самым создавать локализующий потенциал для носителей тока. ....Известен также способ получения самоорганизующихся структур нанокристаллов который взят нами в качестве прототипа Патент РФ №2317941 МПК В82В 300 2008 . Способ включает добавление в мицеллярный раствор поверхностноактивного вещества ПАВ раствора второго ПАВ перенос нанокристаллов в углеводородный растворитель и дальнейшее нанесение раствора на углеродную подложку. . Изобретение иллюстрируется следующими примерами. Пример 1. Получение самоорганизующихся наноструктур платины. Синтезируют известным способом с АОТ наночастицы платины в обратной микроэмульсии с изооктаном. Определяют размер наночастиц на просвечивающем электронном микроскопе d=5 нм.
12 October, 2017 157 читать далее