Методы получения самоорганизованных si ge наноструктур. Альтернативные источники энергии.
Альтернативные источники энергии

электронный журнал

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных

Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации. © Ю.Н. Пархоменко ∗ А.И. Белогорохов ◦¶ Н.Н. Герасименко + А.В. Иржак∗ М.Г. Лисаченко =. ∗ Московский институт стали и сплавов Технологический университет 119936 Москва Россия ◦ ФГУП „Гиредмет“ 119017 Москва Россия + Московский государственный институт электронной техники Технический университет 103498 Москва Россия = Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова физический факультет 119892 Москва Россия. . Одним из них является метод ионного синтеза. В работе представлены результаты исследований свойств самоорганизованных квантовых точек Si1−x Gex. ¶ Email x = 0.3 впервые сформированных с помощью метода ионного синтеза. 2. Образцы и методика эксперимента. .... Многие исследователи подразделяют способы получения наноструктур на методы наносборки и групповые методы. Наносборка подразумевает поатомную укладку каждой частицы структуры с помощью различных нанотехнологических установок или наномеханизмов. Такие методы характеризуются очень низкой производительностью но широкими возможностями направленного изменения структуры морфологии и свойств синтезируемых наночастиц.
21 October, 2018 216 читать далее
Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Глава 4. методы получения самоорганизованных sigeструктур .. 91 4.1.

Эффектыупорядочения при формировании наноструктур на основе SiGeSi . 115 4.5. Свойства самоорганизованных SiGeнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128130 . 127 4.6. Получение наноразмерных SiGeструктур методом термического испарения . 140 Список литературы к главе 4 .142. Глава 5. Синтез проводящих и полупрводниковых соединений в кремнии . .... Самоорганизованные квантовые точки полученные методом ионного синтеза. Сборка наноструктур под влиянием механического напряжения. Напряженные полупроводниковые гетероструктуры и приготовление из них нанотрубок. . Использование пленок мезопористого Si02 для синтеза наноматериалов. Мезопористые алюмосиликаты для синтеза наноматериалов. Пористый оксид алюминия. . 2. Двумерные наноструктуры Методы получения тонких пленок Осаждение пленок из газовой фазы. 1. Электронная структура. Оптические свойства полупроводниковых наночастиц.
24 August, 2017 273 читать далее
Содержание

Содержание

Свойства самоорганизованных Si—Geнаноструктур полученных методом ионной имплантации [128—130 . 127 4.6. Получение наноразмерных Si—Geструктур. методом термического испарения . 140. . Глава 7. Нанокристаллы кремния получаемые разными способами .227. 7.1. Получение нанокристаллических пленок кремния методом CVD. 227. 7.2. Нанокристаллы кремния полученные с помощью электрохимического процесса . .... 3. Методы получения самоорганизованных SiGe структур. 4. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников. 5. Оптические свойства квантоворазмерных структур SiGe. 6. Фотоэлектрические свойства квантоворазмерных структур SiGe. 7. Нанокристаллы кремния. 8. Перспективы кремниевой технологии.
08 February, 2019 138 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации

eLIBRARY ID 20333858. Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом Ионной Имплантации. Пархоменко Ю.Н. Белогорохов А.И. Герасименко Н.Н. Иржак а.в.1 Лисаченко М.Г. . Обнаружено что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия в результате чего образуются области нанометровых размеров обогащенные германием в которых его концентрация на 1012% выше чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. .... . Наноструктуры GeSiSi полученные методом молекулярнолучевой эпитаксии 111. Наноструктуры GeSiSi полученные методом сублимационной молекулярнолучевой эпитаксии с газофазным источником германия 114. . Оптические и электрические свойства самоорганизованных гетероструктур GeSiSi определяются вопервых геометрией нанообъектов и вовторых их составом. Для характеризации морфологии наноструктур успешно применяются методы сканирующей зондовой микроскопии. . Зная пространственное распределение Ge и Si можно найти распределение упругих энергий в островке после этого рассчитать зонную диаграмму кластера и решить уравнение Шредингера найти огибающую собственных функций собственные состояния энергии интегралы межзонного перекрытия и т.д. Цели и задачи работы.
05 September, 2019 276 читать далее
Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт. страница 6.

Работа по теме monografiy. предмет физические основы нанотехнологий. вуз миэт. страница 6.

Методы получения самоорганизованных Si—Geнаноструктур 101. для одного островка и его размеры а плотность возрастает. Понизив температуру роста до 550 ° C и увеличивая поток Ge можно варьировать плотность островков вплоть до 1010 ñì− 2 [55. Дальнейшее понижение температуры роста до 300 ° C позволило существенно повысить плотность нанокластеров Ge до ~ 3 1011 ñì− 2 [56. Используя Sb как поверхностноактивное вещество понижающее поверхностную диффузионную длину адатомов Ge достигли рекордно высокой на сегодняшний день плотности островков ~5 1011 ñì− 2 [57. 4.3. Особенности создания гетеро. .... . Наноструктуры GeSiSi полученные методом молекулярно лучевой эпитаксии. . Методы создания наноструктурированных материалов на сегодняшний день основаны во первых на переносе искусственносозданной маски на однородный материал т.е. на использовании различных нанолитографических методов ультрафиолетовая литография рентгеновская литография электронно и ионнолучевая литография сканирующая зондовая литография и т.д. [8 и вовторых на использовании процесса самоформирования когда наноразмерные объекты образуются из однородного материала вследствие возникновения неравновесных условий. . Также самоорганизованные GeSiгетеронаноструктуры могут быть использованы как.
22 January, 2018 109 читать далее
Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации scipeople

Свойства самоорганизованных sigeнаноструктур полученных методом ионной имплантации scipeople

Аннотация С использованием методов ожеэлектронной спектроскопии атомносиловой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe впервые сформированных с использованием метода ионнолучевого синтеза. Обнаружено что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия в результате чего образуются области нанометровых размеров обогащенные германием в которых его концентрация на 1012% выше чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свой. .... В системе GeSiSi 100 методом молекулярнолучевой эпитаксии были выращены самоорганизующиеся квантовые кольца. Внешний диаметр колец составлял примерно 300 нм высота – до 4 нм. Помимо колец на поверхности структуры содержались квантовые точки. Самосборка наноструктур из атомов адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов может служить примером самоорганизации в нанотехнологии. В этом случае используется метод молекулярнолучевой эпитаксии который позволяет формировать наноструктуры на атомарночистых поверхностях в условиях глубокого вакуума ~10_10 Тор . Контроль роста осуществ.
28 September, 2017 250 читать далее
Оборудование для создания . . эпитаксиальные методы получения наноструктур

Оборудование для создания . . эпитаксиальные методы получения наноструктур

Данное направление включает методы производства наноструктур и материалов в том числе методы нанесения и формирования наноструктур и наноматериалов и приборостроение для наноиндустрии. Сюда не включается оборудование являющееся частью исследовательской инфраструктуры а также произведенные наноматериалы и наноструктуры являющиеся одним из продуктов производства. Т.09. . Понятие самоорганизации распространилось и на химические явления где наряду с ним используется термин самосборка. В российских нанотехнологиях понятие самосборки связывается с процессом адсорбции и формирования специфического расположения молекул на твердой поверхности. .... Методы изготовления наноструктур. Молекулярно – лучевая эпитаксия МЛЭ . МЛЭ – рост наноструктур. Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана. . Методы изготовления наноструктур можно разделить на следующие виды по величине размерности получаемых наноструктур 1 Двумерные наноструктуры 2Dнаноструктуры буква D от слова dimension размерность то есть нанослои – слои нанометровой толщины и многослойные пироги из таких нанослоев. 2 Одномерные наноструктуры 1Dнаноструктуры то есть нанонити – нити нанометровой толщины. . Для получения слоев высокой чистоты важно чтобы источники содержали как можно меньше посторонних примесей. Для этого в тигли источников помещают только сверхчистые материалы.
11 May, 2019 157 читать далее
Государственное образовательное учреждение высшего

Государственное образовательное учреждение высшего

Методы получения упорядоченных наноструктур с механизмом самоорганизации формирование квантовых ям проволок и квантовых точек с использованием молекулярнолучевой эпитаксии МЛЭ газофазной эпитаксии слоев из металлоорганических соединений ГФЭ МОС и ионного синтеза рассмотрены ниже. 1.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Эпитаксиальные методы получения наноструктур. Метод молекулярнолучевой эпитаксии molecular beam epitaxy MBE появился в результате усовершенствования метода термического испарения с применением технологий сверхвысокого вакуума. Принципиальная схема . .... НАНОСТРУКТУ́РЫ собирательное название объектов веществ материалов конструкций искусств. или естеств. происхождения представляющих собой совокупность элементов размеры которых в одном двух или трёх направлениях соизмеримы с фундам. физич. параметрами имеющими размерность длины. Такими параметрами являются длина свободного пробега электрона дебройлевская длина волны размер магнитных доменов размер экситона в полупроводниках длина когерентности в сверхпроводниках длина волны упругих колебаний в конденсиров. веществе и др. Размер составляющих структурных элементов Н. лежит в предела.
04 February, 2019 205 читать далее
Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремнийгерманий полученные методом ионной имплантации

Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремнийгерманий полученные методом ионной имплантации

наноструктур GeSiSi методом сканирующей ожемикроскопии. Определены оптимальные параметры эксперимента для получения максимального аналитического сигнала и наилучшего пространственного разрешения. Построены градуировочные характеристики для определения концентрации германия и кремния в наностровках с учетом наличия оксидного слоя. . Также самоорганизованные GeSiгетеронаноструктуры могут быть использованы как фотодетекторы с регистрируемой длиной волны равной 1.2 – 3 мкм [12 13. .... Нетрадиционные методы формирования наноструктур В журнале Chemical Reviews 1999 99 No 7 представлен обстоятельный обзор включающий 285 ссылок по нетрадиционным методам формирования наноструктур. К их числу относятся. . Самоорганизованные Ge наноконусы как полевые эмиттеры Существуют три способа заставить твердое тело испускать электроны. Первый состоит просто в нагреве вещества когда под действием теплового возбуждения в твердом теле появляются достаточно энергичные электроны способные преодолеть существующий на поверхности барьер равный работе выхода. . Германиевые островки формировались на подложке Si 111 со сверхструктурой 7х7 путем вакуумного напыления Ge до эффективной толщины 2.5нм при температуре 650К.
19 October, 2018 225 читать далее
Методы получения упорядоченных наноструктур искусственное наноформообразование наноэлектроника

Методы получения упорядоченных наноструктур искусственное наноформообразование наноэлектроника

2.1. Получение самоупорядоченных SiGe наноструктур 40 .... Особенности формирования наноструктурных термоэлектриков на основе si—ge. При механическом сплавлении. . В ряде недавних работ сообщалось о значительном повышении термоэлектрической добротности наноструктурированных Si—Ge однако о режимах получения материала не сообщалось. В данной статье изложены исследования структуры порошков на основе Si—Ge приготовленных с использованием различных параметров механоактивации а также предложен альтернативный метод получения наноструктурированного материала из предварительно сплавлённого образца что позволяет снизить время механосинтеза в мельнице и уменьшает загрязнение материала.
09 October, 2017 145 читать далее
Министерство науки и высшего образования российской федерации

Министерство науки и высшего образования российской федерации

Предложенным методом можно создать целый класс полупроводниковых наноструктур трубки спирали кольца и т.д. Получены свободные твердотельные нанотрубки с диаметром до 2 нм. Предложены методы направленного сворачивания пленок позволяющие формировать сложные конструкции организованные массивы нанотрубок и нанообъектов которые могут применяться в качестве строительных элементов для создания приборов наноэлектроники наномеханики различных фильтров. . Таким способом можно изготовить SiGeSiтрубки с диаметром от 10 мкм до 10 нм а также металлические микро и нанотрубки из TiAuпленок. .... Методы получения наноструктур. К настоящему моменту известны десятки методов создания наноструктурированных материалов. Принципиально все методы получения наноструктур возможно условно разделить на два больших класса – физические и химические методы. . 1 группа методов получения и изучения наночастиц конденсация при сверхнизких температурах варианты химического фотохимического и радиационного восстановления лазерное испарение не позволяет создавать новые материалы. П группа методов позволяет получать на основе наночастиц наноматериалы и нанокомпозиты варианты механохимического дробления конденсация из газовой фазы плазмохимические методы и др.
05 May, 2019 198 читать далее